网址：http://m.1010jiajiao.com/timu3_id_66085[举报]
第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．试回答：（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为
（2）下列说法正确的是
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是
（4）如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子．
Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
查看习题详情和答案>>
Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。
（2）下列说法正确的是 （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是 （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca2+的配位数为 。
（2）已知Ca2+的半径为a cm，O2-的半径为b cm，NA代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm3。（用含a、b、NA的代数式表示）
查看习题详情和答案>>
| 元素编号 | a | b | c | d | e | f | g | h | i |
| 原子半径/nm | 0.037 | 0.064 | 0.073 | 0.070 | 0.088 | 0.102 | 0.143 | 0.152 | 0.186 |
| 最高化合价或 最低化合价 |
+1 | -1 | -2 | -3 | +3 | -2 | +3 | +1 | +1 |
（2）写出g的单质与i的最高价氧化物的水化物反应的离子方程式
（3）a的单质与c的单质在碱性条件下可组成一种燃料电池，该电池的负极反应式为
（4）氢化铝锂（LiAlH4）是一种易燃易爆具有极强还原性的物质，它在有机合成上应用广泛．在125℃时氢化铝锂分解为氢气、金属铝及氢化锂（LiH）．与氢化铝锂性质相似但较温和的另一种还原剂由上述a、e、i三种元素组成．该物质受热分解的化学方程式为
（5）前沿化学研究在高能射线作用下产生了一些新型还原剂．当用高能射线照射由a、c元素组成的分子对应的常见液态物质时，该物质分子可按照一种新的方式电离，释放出电子．写出该分子该种方式的电离方程式