摘要:39.现有A.B.C.D.E五种短周期元素.其中元素A.B.C组成的化合物俗称“烧碱 .D是最重要半导体材料.它的高纯度单质是制造电脑CPU芯片的主要材料.而E的单质是一种常用于杀菌消毒的气体.有关高纯度D单质的生产流程如下: 试回答下列问题: (1)E-的核外电子排布式为 .C2B2的电子式为 . (2)电负性:D元素 E元素.(填:“> .“< 或“= ) (3)预测D的氢化物的空间构成的空间构型为 .化合物丙中的D元素原子轨道发生的是 杂化.固态时丙属于 晶体. (4)化合物A2B的沸点高于化合物乙的沸点的主要原因是 . (5)已知D单质的结构与金刚石类似.如右图所示.则该晶体中D原子数与D-D单键的数目比为 .该晶胞的边长为a.D的摩尔质量为M单位:g·mol-1).阿佛加德罗常数为NA.则该晶体的密度为 g·cm-3.

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现有A、B、C、D、E五种强电解质,它们在水中可电离产生下列离子(各种离子不重复).
阳离子 H+、Na+、Al3+、Ag+、Ba2+
阴离子 OH-、Cl-、CO32-、NO3-、SO42-
已知:①A、B两溶液呈碱性;C、D、E溶液呈酸性.
②A溶液与E溶液反应既有气体又有沉淀产生;A溶液与C溶液反应只有气体产生(沉淀包括微溶物,下同).
③D溶液与另外四种溶液反应都能产生沉淀;C只能与D反应产生沉淀.
试回答下列问题:
(1)将C溶液逐滴加入等体积、等物质的量的浓度的A溶液中,反应后溶液中各种离子浓度由大到小的顺序为:
c(Na+)>c(C1-)>c(HCO3-)>c(OH-)>c(H+)>c(CO32-
c(Na+)>c(C1-)>c(HCO3-)>c(OH-)>c(H+)>c(CO32-

(2)写出E溶液与过量的B溶液反应的离子方程式:
2Al3++3SO42-+3Ba2++8OH-═2AlO2-+4H2O+3BaSO4
2Al3++3SO42-+3Ba2++8OH-═2AlO2-+4H2O+3BaSO4

(3)已知:NaOH(aq)+HNO3(aq)=NaNO3(aq)+H2O(l);△H=-a KJ?mol-1
请写出B与C的稀溶液反应的热化学方程式
OH-(aq)+H+(aq)=H2O(1)△H=-aKJ/mol或
1
2
Ba(OH)2(aq)+2HC1(aq)=
1
2
BaC12(aq)+H2O(1)△H=-aKJ/mol
或Ba(OH)2(aq)+2HC1(aq)=BaC12(aq)+H2O(1)△H=-2aKJ/mol
OH-(aq)+H+(aq)=H2O(1)△H=-aKJ/mol或
1
2
Ba(OH)2(aq)+2HC1(aq)=
1
2
BaC12(aq)+H2O(1)△H=-aKJ/mol
或Ba(OH)2(aq)+2HC1(aq)=BaC12(aq)+H2O(1)△H=-2aKJ/mol

(4)在100mL 0.1mol?L-1E溶液中,逐滴加入35mL 2mol?L-1NaOH溶液,最终得到沉淀物质的量为
0.01mol
0.01mol
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