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| 族 周期 |
IA | IIA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA |
| 1 | A | ||||||
| 2 | B | C | D | E | J | K | L |
| 3 | F | G | H | I | |||
| M |
A.第一电离能:A>B>E>J>K B.电负性:B>C>D>E>J
C.原子半径:F>G>H>E D.D、I分别与L形成的简单分子均为非极性分子
(2)表中A与E可形成A2E=E=EA2分子,有关该分子的说法不正确的是
A.分子中有6个σ键和2个π键
B.三个E原子都是sp2杂化
C.四个A原子不在同一平面内
D.三个E原子在同一条直线上
(3)F晶体的晶胞结构如图,
(4)字母K表示的元素原子基态时的价层电子排布式为
(5)MAL2晶体中包含的微粒间作用力有(填序号)
①离子键 ②极性键 ③分子间作用力 ④金属键
(6)BHA4是一种络合物,中心原子配位数为
已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次递增。B原子的P轨道半充满,形成氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3P轨道全充满。A+比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A2C型离子化合物。E的原子序数为31,F与B属同一主族,E与F形成的化合物常用于制造半导体。根据以上信息,回答下列问题:
(1)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为 (用元素符号表示)。
(2)化合物BD3的分子空间构型是 。
(3)上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED),其材料是E与F形成的化合物甲(属于第三代半导体),用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如右图(白球代表F,黑球代表E)。试回答:
①该晶胞中所包含的F原子(白色球)个数为 。
②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为 。
③下列说法正确的是 。![]()
A.该晶胞结构与NaCl相同 B.半导体EB与EF互为等电子体
C.电负性:F>E D.EF晶体中含有配位键
④ (CH3)3E中E原子的杂化方式为 。
⑤该晶体中紧邻的F原子之间与紧邻的F、E两原子之间距离的比值为
(写出计算过程)
已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次递增。B原子的P轨道半充满,形成氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3P轨道全充满。A+比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A2C型离子化合物。E的原子序数为31,F与B属同一主族,E与F形成的化合物常用于制造半导体。根据以上信息,回答下列问题:
(1)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为 (用元素符号表示)。
(2)化合物BD3的分子空间构型是 。
(3)上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED),其材料是E与F形成的化合物甲(属于第三代半导体),用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如右图(白球代表F,黑球代表E)。试回答:
①该晶胞中所包含的F原子(白色球)个数为 。
②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为 。
③下列说法正确的是 。
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A.该晶胞结构与NaCl相同 B.半导体EB与EF互为等电子体
C.电负性:F>E D.EF晶体中含有配位键
④ (CH3)3E中E原子的杂化方式为 。
⑤该晶体中紧邻的F原子之间与紧邻的F、E两原子之间距离的比值为
(写出计算过程)
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(1)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为 (用元素符号表示)。
(2)化合物BD3的分子空间构型是 。
(3)上海世博会场馆,大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED),其材料是E与F形成的化合物甲(属于第三代半导体),用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如右图(白球代表F,黑球代表E)。试回答:
①该晶胞中所包含的F原子(白色球)个数为 。
②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为 。
③下列说法正确的是 。
A.该晶胞结构与NaCl相同 B.半导体EB与EF互为等电子体
C.电负性:F>E D.EF晶体中含有配位键
④ (CH3)3E中E原子的杂化方式为 。
⑤该晶体中紧邻的F原子之间与紧邻的F、E两原子之间距离的比值为
(写出计算过程)