摘要：如图2所示.abcd是一闭合的小金属线框.用一根绝缘细杆挂在固定 点O.使金属线框绕竖直线OO'来回摆动的过程穿过水平方向的匀强磁场区 域.磁感线方向跟线框平面垂直.若悬点摩擦和空气阻力均不计.则( ) A. 线框进入或离开磁场区域时.都产生感应电流.而且方向相反 B. 线框进入磁场区域后越靠近OO'线时速度越大.因而产生的感应电流也越大 C. 线框开始摆动后.摆角会越来越小.摆角小到某一值后不再减小 D. 线框摆动过程中.机械能完全转化为线框电路中的电能
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如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下．边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域．已知l＜L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积．关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是（ ）
| A、图2正确，且S1＞S2 | B、图2正确，且S1=S2 | C、图3正确，且S3＞S4 | D、图3正确，且S3=S4 |
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
A．图2正确，且S1>S2 B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3>S4 D．图3正确，且S3=S4
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如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
| A．图2正确，且S1>S2 | B．图2正确，且S1=S2 |
| C．图3正确，且S3>S4 | D．图3正确，且S3=S4 |
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下．边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域．已知l＜L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积．关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是（ ）
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| A．图2正确，且S1＞S2 | B．图2正确，且S1=S2 |
| C．图3正确，且S3＞S4 | D．图3正确，且S3=S4 |
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下．边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域．已知l＜L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积．关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是（ ）
A．图2正确，且S1＞S2
B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3＞S4
D．图3正确，且S3=S4
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A．图2正确，且S1＞S2
B．图2正确，且S1=S2
C．图3正确，且S3＞S4
D．图3正确，且S3=S4
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