摘要：通过两导体的电流之比是3:1.两导体的电阻之比是1:2.则这两个导体两端的电压之比是 A.3:4 B.4:3 C.3:1 D.6:1
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用半偏法测电流表内阻，提供的器材如下：干电池（电动势E约为1.5V，内阻r约为10Ω）、待测电流表A（0～50μA，内阻约4kΩ）、电阻箱R1、R2（均为0～99999.9Ω）、电键、导线若干．
（1）实验电路如图，有关实验操作及测量如下：
①只闭合S，当调节R1到26090.0Ω时，电流表A满偏；
②再闭合S1，R2调为3770.0Ω时，电流表A半偏，由此可得电流表的内阻Rg的测量值为
3770
3770
Ω．（2）半偏法测量电流表内阻时，要求R1＞＞Rg（比值R1/Rg越大，测量误差越小），本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大．具体分析如下：电流表A半偏时的回路总电阻比全偏时的回路总电阻
偏小
偏小
（填“偏大”或“偏小”），导致这时的总电流变大
变大
（选填“变大”或“变小”），半偏时R2小于
小于
Rg（填“大于”或“小于”）．（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路的总电阻的变化补回来．具体的数值可以通过估算得出，实际操作如下：在（1）中粗测出Rg后，再把R1先增加到
27975
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Ω[用第（1）问中的有关条件求得具体数值]，再调节R2使电流表半偏
半偏
．用这时R2的值表示Rg的测量值，如此多次补偿即可使误差尽量得以减小．用半偏法测电流表内阻，提供的器材如下：
干电池（电动势E约为1.5V，内阻r约为10Ω）、待测电流表A（0～50μA，内阻约4kΩ）、电阻箱R1、R2（均为0～99999.9Ω）、电键、导线若干．
（1）实验电路如图，有关实验操作及测量如下：
①只闭合S，当调节R1到26090.0Ω时，电流表A满偏；
②再闭合S1，R2调为3770.0Ω时，电流表A半偏，由此可得电流表的内阻Rg的测量值为 Ω．
（2）半偏法测量电流表内阻时，要求R1＞＞Rg（比值R1/Rg越大，测量误差越小），本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大．具体分析如下：电流表A半偏时的回路总电阻比全偏时的回路总电阻 （填“偏大”或“偏小”），导致这时的总电流 （选填“变大”或“变小”），半偏时R2 Rg（填“大于”或“小于”）．
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路的总电阻的变化补回来．具体的数值可以通过估算得出，实际操作如下：在（1）中粗测出Rg后，再把R1先增加到 Ω[用第（1）问中的有关条件求得具体数值]，再调节R2使电流表 ．用这时R2的值表示Rg的测量值，如此多次补偿即可使误差尽量得以减小．
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干电池（电动势E约为1.5V，内阻r约为10Ω）、待测电流表A（0～50μA，内阻约4kΩ）、电阻箱R1、R2（均为0～99999.9Ω）、电键、导线若干．
（1）实验电路如图，有关实验操作及测量如下：
①只闭合S，当调节R1到26090.0Ω时，电流表A满偏；
②再闭合S1，R2调为3770.0Ω时，电流表A半偏，由此可得电流表的内阻Rg的测量值为 Ω．
（2）半偏法测量电流表内阻时，要求R1＞＞Rg（比值R1/Rg越大，测量误差越小），本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大．具体分析如下：电流表A半偏时的回路总电阻比全偏时的回路总电阻 （填“偏大”或“偏小”），导致这时的总电流 （选填“变大”或“变小”），半偏时R2 Rg（填“大于”或“小于”）．
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路的总电阻的变化补回来．具体的数值可以通过估算得出，实际操作如下：在（1）中粗测出Rg后，再把R1先增加到 Ω[用第（1）问中的有关条件求得具体数值]，再调节R2使电流表 ．用这时R2的值表示Rg的测量值，如此多次补偿即可使误差尽量得以减小．
用半偏法测电流表内阻，提供器材如下。
干电池：电动势E1约1.5V，内阻r约10Ω；待测电流表A ： 0~50μA，内阻Rg约4kΩ；电阻箱R1 0~99999Ω；电阻箱R2 0~9999.9Ω；电键、导线若干。
（1）实验电路如图。有关实验操作及测量如下：①S闭合，S1断开，当调节R1至 ▲ Ω时，电流表A满偏；②闭合S1，R2调为 ▲ Ω时，电流表A半偏。由此可得，Rg的测量值为 ▲ Ω
（2）半偏法测量电流表内阻要求R1>>Rg(比值R1/Rg越大，误差越小)，本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大。误差较大的主要原因分析如下，电流表A半偏时的回路总电阻与满偏时的总电阻相比 ▲ （填“偏大”或“偏小”），导致半偏时R2 ▲ （填“大于”或“小于”）Rg。
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路电阻的变化补回来，具体的数值可以通过估算得出（半偏时R2可近似看作Rg）。实际操作如下：把R1调为 ▲ Ω，再调节R2至电流表A 。
（4）请根据补偿思想，简要回答进一步提高Rg测量准确度的方法。
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干电池：电动势E1约1.5V，内阻r约10Ω；待测电流表A ： 0~50μA，内阻Rg约4kΩ；电阻箱R1 0~99999Ω；电阻箱R2 0~9999.9Ω；电键、导线若干。
（1）实验电路如图。有关实验操作及测量如下：①S闭合，S1断开，当调节R1至 ▲ Ω时，电流表A满偏；②闭合S1，R2调为 ▲ Ω时，电流表A半偏。由此可得，Rg的测量值为 ▲ Ω
（2）半偏法测量电流表内阻要求R1>>Rg(比值R1/Rg越大，误差越小)，本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大。误差较大的主要原因分析如下，电流表A半偏时的回路总电阻与满偏时的总电阻相比 ▲ （填“偏大”或“偏小”），导致半偏时R2 ▲ （填“大于”或“小于”）Rg。
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路电阻的变化补回来，具体的数值可以通过估算得出（半偏时R2可近似看作Rg）。实际操作如下：把R1调为 ▲ Ω，再调节R2至电流表A 。
（4）请根据补偿思想，简要回答进一步提高Rg测量准确度的方法。
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用半偏法测电流表内阻，提供的器材如下：
干电池（电动势E约为1.5V，内阻r约为10Ω）、待测电流表A（0～50μA，内阻约4kΩ）、电阻箱R1、R2（均为0～99999.9Ω）、电键、导线若干．
（1）实验电路如图，有关实验操作及测量如下：
①只闭合S，当调节R1到26090.0Ω时，电流表A满偏；
②再闭合S1，R2调为3770.0Ω时，电流表A半偏，由此可得电流表的内阻Rg的测量值为______Ω．
（2）半偏法测量电流表内阻时，要求R1＞＞Rg（比值R1/Rg越大，测量误差越小），本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大．具体分析如下：电流表A半偏时的回路总电阻比全偏时的回路总电阻______（填“偏大”或“偏小”），导致这时的总电流______（选填“变大”或“变小”），半偏时R2______Rg（填“大于”或“小于”）．
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路的总电阻的变化补回来．具体的数值可以通过估算得出，实际操作如下：在（1）中粗测出Rg后，再把R1先增加到______Ω[用第（1）问中的有关条件求得具体数值]，再调节R2使电流表______．用这时R2的值表示Rg的测量值，如此多次补偿即可使误差尽量得以减小．
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干电池（电动势E约为1.5V，内阻r约为10Ω）、待测电流表A（0～50μA，内阻约4kΩ）、电阻箱R1、R2（均为0～99999.9Ω）、电键、导线若干．
（1）实验电路如图，有关实验操作及测量如下：
①只闭合S，当调节R1到26090.0Ω时，电流表A满偏；
②再闭合S1，R2调为3770.0Ω时，电流表A半偏，由此可得电流表的内阻Rg的测量值为______Ω．
（2）半偏法测量电流表内阻时，要求R1＞＞Rg（比值R1/Rg越大，测量误差越小），本实验中R1虽比Rg大，但两者之比不是很大，因此导致Rg的测量误差较大．具体分析如下：电流表A半偏时的回路总电阻比全偏时的回路总电阻______（填“偏大”或“偏小”），导致这时的总电流______（选填“变大”或“变小”），半偏时R2______Rg（填“大于”或“小于”）．
（3）为减小Rg的测量误差，可以通过补偿回路总电阻的方法，即把半偏时回路的总电阻的变化补回来．具体的数值可以通过估算得出，实际操作如下：在（1）中粗测出Rg后，再把R1先增加到______Ω[用第（1）问中的有关条件求得具体数值]，再调节R2使电流表______．用这时R2的值表示Rg的测量值，如此多次补偿即可使误差尽量得以减小．
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如图所示，厚度为h宽度为d的导体板放在垂直于它的磁感应强度为B的均匀磁场中，当电流通过导体板时，在导体板的上侧面A和下侧面A/之间会产生电热差，这种现象称为霍尔效应。实验表明，当磁场不太强时，电热差U、电流I和磁感应强度B的关系
式中的比例系数K称为霍尔系数。
霍尔效应可解释如下：外部磁场的洛伦兹力使运动的电子聚集在导体板的一侧，在导体板的另一侧会出现多余的正电荷，从而形成横向电场，横向电场对电子施加与洛仓兹力方向相反的静电力，当静电力与洛伦兹力达到平衡时，导体板上下两面之间就会形成稳定的电势差。
设电流I是由电子的定向流动形成的，电子的平均定向速度为v，电量为e。回答下列问题：
（1）达到稳定状态时，导体板上侧面A的电势_____下侧面A的电势（填高于、低于或等于）
（2）电子所受的洛伦兹力的大小为______。
（3）当导体板上下两面之间的电势差为U时，电子所受静电力的大小为_____。
（4）由静电力和洛伦兹力平衡的条件，证明霍尔系数为
，其中n代表导体板单位体积中电子的个数。
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