摘要： 工业制粗硅
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工业由粗硅制取纯硅有以下反应：
①Si(s) + 3 HCl(g)
SiHCl3(g) + H2(g)；△H = -318 kJ·mol-l
②SiHCl3(g) + H2(g)
Si(s) + 3 HCl(g)；
下列关于上述反应的说法中不正确的是
A．反应①、②均为氧化还原反应
B．反应①、②均为置换反应
C．若反应①放热，则反应②一定吸热
D．欲提高SiHCl3产率，可减压或升温
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Si+2CO↑，在这个氧化还原反应中，氧化剂和还原剂的物质的量之比是工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：
（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是
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（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是
升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度；
升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度；
．（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为
蒸馏
蒸馏
．②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=
-31
-31
kJ/mol．（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是
氯化氢、氢气
氯化氢、氢气
（填物质名称）．