题目内容
【题目】如图所示，AB、CD为两平行金属板，A、B两板间电势差为U，C、D始终和电源相接，测得其间的场强为E。一质量为m、电荷量为+q的带电粒子（重力不计）由静止开始经AB加速后穿过CD发生偏转，最后打在荧光屏上。已知C、D极板长均为x，荧光屏距C、D右端的距离为L，问：
（1）粒子进入偏转电场时的速度v0为多大？
（2）粒子打在荧光屏上距O点下方P多远处？
【答案】（1）v0=（2Uq/m）1/2 （2）y=Ex（x/2+L）/2U
【解析】
试题分析：
（1）Uq=mv02/2 v0=（2Uq/m）1/2
（2）tanθ=vy/v0 vy=at a=Eq/m x=v0t tanθ=y/（x/2+L）
y=Ex（x/2+L）/2U （或者y=Ex（x+2L）/4U） ）
阅读快车系列答案【题目】一学习小组学习了电阻的测量的方法后，想描绘一只硅二极管通正向电流时的伏安特性曲线．已知该二极管正向导通时电阻为几十到几百欧，其耐压值约为1．0V．实验室有如下器材：
A．干电池一节
B．电压表1，量程15V，内阻约几百千欧
C．电压表2，量程3V，内阻约一百千欧
D．电流表，量程10mA，内阻约几百欧
E．滑动变阻器1，最大阻值为1KΩ
F．滑动变阻器2，最大阻值为100Ω
G．导线若干，电键一个
①电压表应选 （请填器材前的字母）。
②滑动变阻器应选 （请填器材前的字母）。
③请将题图1所示未完成的电路图补充完整（硅二极管的符号为
）。
U/V | 0．00 | 0．12 | 0．28[] | 0．40 | 0．50 | 0．56 | 0．60 | 0．64 | 0．68 |
I/mA | 0．0 | 约0 | 约0 | 0．1 | 0．2 | 0．4 | 0．8 | 1．2 | 5．0 |
④如题图2所示，坐标图上的图线I为某硅光电池组的伏安特性曲线，通过图线I直接读出该硅光电池组的电动势为 V，短路电流为 mA，其内电阻 Ω（填“是”或“不是”）定值。
⑤移动滑动变阻器的滑片，得到多组硅二极管的电流电压值如下表，请根据表格中的数据在同一坐标纸上通过描点连线画出硅二极管的伏安特性曲线。
⑥根据你描绘的图线结合图线I，计算若用该硅光电池组直接给该硅二极管供电时（保证该硅光电池组为二极管输入正向电流），电池组的输出功率为 W，此时硅光电池组的内阻为 Ω，此时二极管的电阻为 Ω（此三空均保留三位有效数字）。
