题目内容
5．下列说法中正确的是（ ）| A． | 电流有方向，因此是矢量 | |
| B． | 5号干电池比1号干电池的体积小，电动势也小 | |
| C． | 电池的容量与放电状态有关系，同样的电池，小电流、间断性放电比大电流、持续放电的容量小 | |
| D． | 同一型号干电池，旧电池与新电池相比电动势几乎不变，但内阻变大 |
分析 电流有方向，而电流是标量．在外电路中，电流的方向总是从电源的正极流向电源的负极．电源的作用提供持续的电压．电动势是反映电源把其他形式的能转化为电能本领强弱的物理量．由电源本身决定．
解答 解：A、电流有方向，表示正电荷定向移动的方向，由于电流运算时不遵守平行四边形定则，所以电流不是矢量，而是标量，故A错误．
B、5号干电池比1号干电池的体积小，但它们的电动势相同；均为1.5V；故B错误；
C、电池的容量与放电状态没有关系，其容量大小和电池的放电电流等无关；C错误；
D、同一型号干电池，旧电池与新电池相比电动势几乎不变，但内阻变大；故D正确；
故选：D
点评 本题考查对电流方向和电动势的理解，要注意电流是标量，运算时遵守代数加减法则．
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20．跳伞运动员做低空跳伞表演，当飞机离地面某一高度静止于空中时，运动员离开飞机下落，运动一段时间后打开降落伞，展伞后运动员以5m/s2的加速度匀减速下落，则运动员在匀减速下降的任意一秒内（ ）
| A． | 这一秒末的速度比前一秒初的速度小5m/s | |
| B． | 这一秒末的速度是前一秒末的速度的0.2倍 | |
| C． | 这一秒内的位移比前一秒内的位移小5m | |
| D． | 这一秒末的速度比前一秒初的速度小10m/s |
1．做自由落体运动的物体（ ）
| A． | 在任意时刻加速度相等 | |
| B． | 在任意时刻速度变化的快慢相等 | |
| C． | 在任意相等的时间内速度的变化相等 | |
| D． | 在任意相等的时间内位移的变化相等 |
如图所示，在真空中以恒定速度从O点水平射出的带电粒子垂直打到位置处于A1B1的竖直光屏上的O1点．当在粒子运动的空间加一竖直方向的匀强电场后，带电粒子打到光屏上的M点．已知O1到M的距离y1=20cm．保持匀强电场的强弱和方向不变，现将竖直光屏向着O点移动b=18cm的距离而处于A2B2位置，则粒子打到光屏上的N点，且O2到N的距离y2=5cm，O2为直线OO1和直线A2B2的交点，不计粒子所受重力，求此时光屏到O点的距离d为多少？
17．
如图所示，小球自由下落，落在一竖直放置的弹簧上，小球在a点与弹簧接触，到b点时将弹簧压缩到最短，在球从a点到b点的过程中，不计空气阻力作用，则（ ）
如图所示，小球自由下落，落在一竖直放置的弹簧上，小球在a点与弹簧接触，到b点时将弹簧压缩到最短，在球从a点到b点的过程中，不计空气阻力作用，则（ ）| A． | 小球的动能一直减少 | B． | 小球的重力势能一直减小 | ||
| C． | 小球的重力势能一直增大 | D． | 小球的机械能一直减少 |
14．
如图所示，a、b、c、d是地球周围的四个圆周，其中a与赤道共面，b所在平面与赤道平面平行，a、d、c的圆心与地心O重合，下列说法正确的是（ ）
如图所示，a、b、c、d是地球周围的四个圆周，其中a与赤道共面，b所在平面与赤道平面平行，a、d、c的圆心与地心O重合，下列说法正确的是（ ）| A． | a、b可能为卫星的轨道 | B． | c、d可能为卫星的轨道 | ||
| C． | 地球同步卫星轨道只能与a共面 | D． | 地球同步卫星轨道只能与d共面 |
15．霍尔效应是电磁现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图甲所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流，同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场，则在M、N间出现大小为UH的电压，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足${U_H}=k\frac{IB}{d}$，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．
（1）若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图甲所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与M（选填“M”或“N”）端通过导线相连．
（2）该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图乙所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b（选填“a”或“b”），S2掷向c（选填“c”或“d”）．
（3）已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表所示．
根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH-I图线，请利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-3V•m•A-1•T-1（保留2位有效数字）．
（1）若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图甲所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与M（选填“M”或“N”）端通过导线相连．
（2）该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图乙所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向b（选填“a”或“b”），S2掷向c（选填“c”或“d”）．
（3）已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表所示．
| I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |