题目内容
【题目】制作半导体时，需向单晶硅或其他晶体中掺入杂质。单晶硅内的原子是规则排列的，在两层原子间有一定间隙，形成沟道，如图所示。假设注入的杂质是硼的正离子，若硼离子能沿沟道射入晶体内，就叫做沟道离子。射入的离子不可能与沟道的纵轴（图中虚线）完全平行，若偏离纵轴一定的角度
，如图那样进入沟道时向上偏转，则离子将受原子层原子核向下的斥力。一旦离子失去向上运动的速度，便在斥力的作用下朝反方向偏离。同样道理，当离子接近下面原子核时，又在斥力的作用下向上偏转。于是，入射离子在沟道内沿曲线前进。对于一定能量的离子，存在一个临界的入射
，一旦离子的入射角大于
，入射离子将冲出沟道，不能成为沟道离子。下面说法正确的是( )
A. 入射角一定时，入射离子的动能越大，越容易成为沟道离子
B. 入射离子的动能一定时，入射角越小，沟道离子在沟道中运动时间越长
C. 入射离子在接近原子层时，原子核的斥力做负功，电势能增大
D. 入射离子在趋于两个原子层间的纵轴时动能和电势能均减小
【答案】C
【解析】A．入射角一定时，入射离子的动能越大，越容易冲出沟道，不能成为沟道离子，故A错误；
B．沿纵轴方向离子做匀速直线运动。入射离子的动能一定时，入射角越小，沿纵轴方向的速度越大，沟道离子在沟道中运动时间越短，故B错误；
C．入射离子在靠近原子层的过程中，原子核的斥力做负功，电势能增大，故C正确；
D．入射离子在趋于两个原子层间的纵轴的过程中，原子核的斥力做正功，动能增大，电势能减小，故D错误。
故选：C
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