题目内容

（12分）．如图所示PQ、MN为足够长的两平行光滑金属导轨,它们之间连接一个阻值的电阻;导轨间距为,电阻,长约的均匀金属杆水平放置在导轨上，导轨平面的倾角为在垂直导轨平面方向有匀强磁场,磁感应强度为B=0.5T,今让金属杆AB由静止开始下滑
（1）当AB下滑速度为时加速度的大小
（2）AB下滑的最大速度
（3)若AB杆从静止开始下滑4m达到匀速运动状态求R上产生的热量
 
(1)a=3m/s     (2)VM="5m/s"        (3)QR =2.2J
AB下滑速度为2m/s时，整个电路电流,所受的电磁力,沿斜面向上，所以合外力,所以加速度为，AB速度最大时，受力平衡，所以电流为1A，所以速度为20m/s。由能量守恒定理可得，题目有问题
练习册系列答案
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关于电路中感应电动势的大小，下列说法中正确的是：（   ）
A．穿过电路的磁通量越大，感应电动势就越大
B．电路中磁通量的改变量越大，感应电动势就越大
C．电路中磁通量变化越快，感应电动势越大
D．若电路中某时刻磁通量为零，则该时刻感应电流一定为零
法拉第发现电磁感应现象，不仅推动了电磁理论的发展，而且推动了电磁技术的发展，引领人类进入了电气时代，下列哪一个器件工作时利用了电磁感应现象  (      )
A．电视机的显像管B．回旋加速器C．电磁炉D．指南针
（10分）面积为0.5m2的导体环与5.0Ω的电阻连接成闭合回路。圆环处于垂直纸面向里的磁场中，该磁场的磁感强度随时间的变化规律如图，磁场方向垂直纸面向里为正方向。回路中导线和开关的电阻忽略不计。求：
①线圈中感应电动势的大小；
②电阻R消耗的电功率；
③在下方坐标纸中画出0到0.6s内感应电流随时间变化的图象（设感应电流逆时针方向为正）。
如图甲所示，固定在水平桌面上的光滑金属导轨cd、eg处于方向垂直导轨向下的匀强磁场中，金属杆ab与导轨接触良好。在两根导轨的端点C、e之间连接一电阻，其他部分电阻忽略不计。现用一水平向右的外力F1作用在金属杆ab上，使金属杆ab向右沿导轨滑动，滑动过程中金属杆ab始终垂直于导轨。金属杆ab受到的安培力用F2表示，F1与F2随时间t变化的关系图像如图乙所示，下面关于金属杆ab运动过程中的v -t图像正确的是
如图所示，两根金属导轨平行放置在倾角为30°的斜面上，导轨左端接有电阻，导轨自身电阻不计．匀强磁场垂直于斜面向上，磁感应强度为．质量为 ，电阻为的金属棒ab由静止释放，沿导轨下滑，如图所示．设导轨足够长，导轨宽度，金属棒ab下滑过程中始终与导轨接触良好，当金属棒下滑的高度为时，恰好达到最大速度vm=2m/s，求此过程中：   

小题1:金属棒受到的摩擦阻力；
小题2:电阻R中产生的热量；  
小题3:通过电阻R的电量．    
如图甲所示，平行金属导轨竖直放置，导轨间距为L＝1 m，上端接有电阻R1＝3 Ω，下端接有电阻R2＝6 Ω，虚线OO′下方是垂直于导轨平面的匀强磁场．现将质量m＝0.1 kg、电阻不计的金属杆ab，从OO′上方某处垂直导轨由静止释放，杆下落0.2 m过程中始终与导轨保持良好接触，加速度a与下落距离h的关系图象如图乙所示. 求：

小题1:磁感应强度B；
小题2:杆下落0.2 m过程中通过电阻R2的电荷量q.
如右图所示，一直导体棒质量为m、长为l、电阻为r，其两端放在位于水平面内间距也为l的光滑平行导轨上，并与之接触良好，棒左侧两导轨之间连接一可控的负载电阻（图中未画出），导轨置于匀强磁场中，磁场的磁感应强度大小为B，方向垂直与导轨所在平面，开始时，给导体棒一个平行于导轨的初速度v0，在棒的运动速度由v0减小至v1的过程中，通过控制负载电阻使棒中的电流强度I保持不变，导体棒一直在磁场中运动，若不计导轨电阻，则下述判断和计算结果正确的是                                                         （    ）
A．导体棒做匀减速运动
B．在此过程中导体棒上感应电动势的平均值为
C．在此过程中负载电阻上消耗的平均功率为
D．因为负载电阻的值不能确定，所以上述结论都不对
如图甲所示，abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框，在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域，MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界，并在线框的bc边平行，磁场方向与线框平面垂直。现金属线框内距MN的某一高度从静止开始下落，图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v – t 图像。已知金属线框的质量为m，电阻为R，当地的重力加速度为g，图像中坐标轴上所标出的字线v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量。（下落过程中bc边始终水平）根据题中所给条件，以下说法正确的是       （   ）
A．可以求出金属框的边长
B．线框穿出磁场时间（t1—t3）等于进入磁场时间(t2—t1)
C．线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同
D．线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳相等

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