题目内容
11.如图所示,真空室内存在宽度为d=8cm的匀强磁场区域,磁感应强度B=0.332T,磁场方向垂直于纸面向里;ab、cd足够长,cd为厚度不计的金箔,金箔右侧有一匀强电场区域,电场强度E=3.32×105N/C,方向与金箔成37°角.紧挨边界ab放一点状α粒子放射源S,可沿纸面向各个方向均匀放射初速率相同的α粒子,已知:m0=6.64×10-27kg,q0=3.2×10-19C,初速率v=3.2×106m/s.(sin37°=0.6,cos37°=0.8)求:(1)α粒子在磁场中作圆周运动的轨道半径R;
(2)金箔cd被α粒子射中区域的长度L;
(3)设打在金箔上d端离cd中心最远的α粒子沿直线穿出金箔进入电场,在电场中运动通过N点,SN⊥ab且SN=40cm,则此α粒子从金箔上穿出时,损失的动能△Ek为多少?
分析 (1)根据洛伦兹力提供向心力列式求半径即可;
(2)粒子速度向下进入磁场时,可以到达cd最下端;当粒子向上运动,且轨迹与cd相切时,可以到达cd边界最高点,根据几何关系求解射中区域的长度;
(3)根据几何关系,求出粒子出磁场的位置,得出进入磁场的初速度方向,最终得出粒子做类平抛运动,然后将粒子的运动沿着垂直电场方向和平行电场方向正交分解,然后根据位移公式求解出运动时间,再根据速度时间公式得出平行电场方向和垂直电场方向的分速度,最后合成合速度,从而得到动能损失.
解答 解:(1)α粒子在匀强磁场中做匀速圆周运动,洛伦兹力提供向心力,即
qαvB=mα$\frac{{v}^{2}}{R}$,解得:R=$\frac{{m}_{α}v}{{q}_{α}B}$=0.2m=20cm;
即α粒子在磁场中作圆周运动的轨道半径R为20cm.
(2)设cd中心为O,向c端偏转的α粒子,当圆周轨迹与cd相切时偏离O最远,设切点为P,对应圆心O1,如图所示
则由几何关系得:$\overline{OP}$=$\overline{SA}$=$\sqrt{{R}^{2}-(R-d)^{2}}$=16cm,
向d端偏转的α粒子,当沿sb方向射入时,偏离O最远,设此时圆周轨迹与cd交于Q点,对应圆心O2,
如图所示,则由几何关系得:$\overline{OQ}$=$\sqrt{{R}^{2}+(R-d)^{2}}$=16cm
故金箔cd被α粒子射中区域的长度 L=$\overline{PQ}$=$\overline{OP}$+$\overline{OQ}$=32cm.
(3)设从Q点穿出的α粒子的速度为v′,因半径O2Q∥场强E,则v′⊥E,故穿出的α粒子在电场中做类平抛运动,轨迹如图所示.
沿速度v′方向做匀速直线运动,位移 Sx=($\overline{SN}$-R)sin53°=16cm=0.16m
沿场强E方向做匀加速直线运动,位移 Sy=($\overline{SN}$-R)cos53°+R=32cm
则由Sx=v′t Sy=$\frac{1}{2}$at2 a=$\frac{{q}_{α}E}{{m}_{α}}$,得:v′=8.0×105m/s
故此α粒子从金箔上穿出时,损失的动能为
△Ek=$\frac{1}{2}$mαv2-$\frac{1}{2}$mαv′2=3.19×10-14J
即此α粒子从金箔上穿出时,损失的动能△EK为3.19×10-14J.
答:(1)α粒子在磁场中做圆周运动的轨道半径R为20cm;
(2)金箔cd被α粒子射中区域的长度L为32cm;
(3)设打在金箔上d端离cd中心最远的α粒子沿直线穿出金箔进入电场,在电场中运动通过N点,SN⊥ab且SN=40cm,则此α粒子从金箔上穿出时,损失的动能△Ek为3.19×10-14J.
点评 本题关键将粒子的运动分为磁场中的运动和电场中的运动,对于磁场中的运动根据洛伦兹力提供向心力列式,同时结合几何关系分析;对于电场中的运动,通常都为类平抛运动,然后根据正交分解法分解为直线运动研究.
A. | 运动半径变小 | B. | 周期变小 | C. | 角速度变大 | D. | 线速度变小 |
A. | L1亮度不变,L2变暗 | B. | L1变暗,L2变亮 | ||
C. | 电路消耗的总功率变小 | D. | 干路电流不变 |
线段 | OA | OB | OC | OD | OE | OF |
数据/cm | 0.54 | 1.53 | 2.92 | 4.76 | 9.40 |
(2)由以上数据计算出打点计时器在打A,B,C,D,E各点时物体的速度,如表所示;
各点速度 | vA | vB | vC | vD | vE |
数据/(×10-2m/s) | 7.70 | 12.0 | 16.2 | 20.4 |
(3)试根据表格中数据和你求得的E点速度在图2所给的坐标中,作出v-t图象,如图2,从图象中求得物体的加速度a=0.42m/s2 (取两位有效数字).
A. | F上向上,F下向下 | B. | F上向下,F下向下 | C. | F上向上,F下向上 | D. | F上向上,F下向下 |
A. | $\frac{mgR}{4}$ | B. | $\frac{mgR}{2}$ | C. | mgR | D. | 2mgR |
A. | 一切静电场的场强均可以用公式E=$\frac{KQ}{{r}^{2}}$计算出来 | |
B. | 处于静电平衡状态的导体,其内部场强处处为零 | |
C. | 在静电场中,沿着电场线的方向移动电荷,电场力一定做正功 | |
D. | 在正点电荷形成的电场中,离点电荷越近,电势越高,场强越大 |