题目内容
一块N型半导体薄片(称霍尔元件)，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I，则在此元件的CC/两个侧面就会出现电压，这种现象叫霍尔效应．
(1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/两个侧面的电压与其中的电流成正比．(提示：先求出电流的微观表达式)
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U，就可测得B．若已知其霍尔系数k＝
＝10 mV/mA·T．并测得U＝0.6 mV，I＝3 mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
答案：
练习册系列答案
53随堂测系列答案
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（2007?苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
。并测得U CC’=0.6mV,I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．