题目内容
15.如图,两光滑平行金属导轨置于水平面(纸面)内,轨间距为l,左端连有阻值为R的电阻.一金属杆置于导轨上,金属杆右侧存在一磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场区域.已知金属杆以速度v0向右进入磁场区域,做匀变速直线运动,到达磁场区域右边界(图中虚线位置)时速度恰好为零.金属杆与导轨始终保持垂直且接触良好.除左端所连电阻外,其他电阻忽略不计.求金属杆运动到磁场区域正中间时所受安培力的大小及此时电流的功率.分析 依据法拉第电磁感应定律,求解感应电动势,再结合闭合电路欧姆定律,及安培力表达式,再依据运动学公式,求得中间位置的速度,从而确定安培力大小,最后根据功率表达式,即可求解.
解答 解:由题意可知,开始时导体棒产生的感应电动势为:E=Blv0,
依据闭合电路欧姆定律,则电路中电流为:I=$\frac{Bl{v}_{0}}{R}$,
再由安培力公式有:F=BIl=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}}{R}$;
设导体棒的质量为m,则导体棒在整个过程中的加速度为:a=$\frac{F}{m}$=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}}{Rm}$
设导体棒由开始到停止的位移为x,由运动学公式:0-${v}_{0}^{2}=-2ax$
解得:x=$\frac{{v}_{0}^{2}}{2a}$=$\frac{Rm{v}_{0}}{2{B}^{2}{l}^{2}}$;
故正中间离开始的位移为:x中=$\frac{Rm{v}_{0}}{4{B}^{2}{l}^{2}}$;
设导体棒在中间的位置时的速度为v,由运动学公式有:v2-v02=2ax中
解得:v=$\frac{\sqrt{2}}{2}{v}_{0}$
则导体棒运动到中间位置时,所受到的安培力为:
F=BIl=$\frac{\sqrt{2}{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}}{2R}$;
导体棒电流的功率为:
P=I2R=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}^{2}}{2R}$;
答:金属杆运动到磁场区域正中间时所受安培力的大小$\frac{\sqrt{2}{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}}{2R}$,及此时电流的功率$\frac{{B}^{2}{l}^{2}{v}_{0}^{2}}{2R}$.
点评 考查法拉第电磁感应定律与闭合电路欧姆定律的内容,掌握安培力的表达式,理解运动学公式的应用,注意电功率的内容.
A. | 原子核发生一次β衰变,该原子外层就失去一个电子 | |
B. | γ射线比β射线的贯穿能力强,α射线比β射线的电离能力强 | |
C. | 采用物理或化学方法可以有效地改变放射性元素的半衰期 | |
D. | 碘131的半衰期为8.3天,则4个碘原子核经16.6天后就剩下一个原子核 |
A. | m/kg | B. | kg/m | C. | m/N | D. | N/m |
A. | Ek1=Ek2,W1=W2 | B. | Ek1>Ek2,W1=W2 | C. | Ek1<Ek2,W1<W2 | D. | Ek1>Ek2,W1<W2 |
A. | 所受的万有引力越大 | B. | 运行的角速度越小 | ||
C. | 运行的线速度越大 | D. | 运行的周期越小 |
A. | r>r0时,分子力做正功,动能不断增大,势能减小. | |
B. | r=r0时,动能最大,势能最小. | |
C. | r<r0时,分子力做负功,动能减小,势能增大. | |
D. | 以上均不对 |
A. | 当分子间距离由r0增大到10r0的过程中,分子间的作用力逐渐变大 | |
B. | 当分子间距离由r0增大到10r0的过程中,分子间的作用力逐渐减小 | |
C. | 当分子间距离由r0增大到10r0的过程中,分子间的引力逐渐变小 | |
D. | 当分子间距离由r0增大到10r0的过程中,分子间的斥力逐渐变小 |