题目内容

【题目】如图所示,区域ⅠⅢ内存在垂直纸面向外的匀强磁场,区域Ⅲ内磁场的磁感应强度为B,宽为1.5d,区域Ⅰ中磁场的磁感应强度B1未知,区域Ⅱ是无场区,宽为d,一个质量为m、电荷量为q的带正电粒子从磁场边界上的A点与边界成θ=60°角垂直射入区域Ⅰ的磁场,粒子恰好不从区域Ⅲ的右边界穿出且刚好能回到A点,粒子重力不计。

(1)求区域Ⅰ中磁场的磁感应强度B1

(2)求区域Ⅰ磁场的最小宽度L

(3)求粒子从离开A点到第一次回到A点的时间t

【答案】(1)3B (2) (3)m

【解析】

(1)由题意知粒子的运行轨迹如图所示,设在区域ⅠⅢ中粒子做圆周运动的半径分别为rR,由图知RRcos θ=1.5d,

Rsin θrsin θ,

联立得Rdr

由洛伦兹力提供向心力得:qvBm

同理区域Ⅰ中,qvB1m

联立得B1=3B

(2)结合图及运动学规律可知磁场的最小宽度为

(3)在区域

解得

在区域中运动的时间为

在区域Ⅱ中的运行时间为:

在区域Ⅲ中的运行时间为:

所以粒子从离开A点到第一次回到A点的时间:

故本题答案是:(1)3B (2) (3)m

练习册系列答案
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【题目】霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的PQ间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在MN间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UHk,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.

(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与______(MN”)端通过导线相连.

(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出UHI图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×103V·m·A1·T1(保留2位有效数字).

(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1,S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向________(ab”),S2掷向________(cd”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件________________(填器件代号)之间.

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