题目内容

20.在平面直角坐标系的第一象限内存在一有界匀强磁场,该磁场的磁感应强度大小为B=0.1T,方向垂直于xOy平面向里,在坐标原点O处有一正离子放射源,放射出的正离子的比荷都为$\frac{q}{m}$=1×106C/kg,且速度方向与磁场方向垂直.若各离子间的相互作用和离子的重力都可以忽略不计.
(1)如图甲所示,若第一象限存在直角三角形AOC的有界磁场,∠OAC=30°,AO边的长度l=0.3m,正离子从O点沿x轴正方向以某一速度射入,要使离子恰好能从AC边射出,求离子的速度大小及离子在磁场中运动的时间.
(2)如图乙所示,若第一象限存在一未知位置的有界匀强磁场,正离子放射源放射出不同速度的离子,所有正离子入射磁场的方向均沿x轴正方向,且最大速度vm=4.0×104m/s,为保证所有离子离开磁场的时候,速度方向都沿y轴正方向,试求磁场的最小面积,并在图乙中画出它的形状.

分析 (1)离子恰好能从AC边射出的临界情况为与AC相切时,作出轨迹由几何知识确定圆心,由牛顿第二定律列方程求速度大小,确定出圆心角由周期公式求运动时间.
(2)分析可知所有离子的轨迹圆的圆心都在y轴正半轴上,所以满足题意的最小磁场区域为一扇形.

解答 解:(1)正离子在磁场内做匀速圆周运动,离子刚好从AC边上的D点射出时,如图甲所示,
离子轨迹圆的圆心为O′,轨道半径为r,由几何知识得:r+2r=l,解得:r=$\frac{l}{3}$=0.1m,
粒子在磁场中运动,洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律得:qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$,解得:v=1.0×104m/s;
若正离子恰好从AC边射出,由几何知识可知,圆心角∠DO′O=120°,粒子做圆周运动的周期:T=$\frac{2πm}{qB}$,
正离子在磁场中运动的时间:t=$\frac{θ}{360°}$T=2.1×10-5s;
(2)所有离子进入磁场后均做逆时针方向的匀速圆周运动,且入射方向沿x轴正方向,
离开时沿y轴正方向,速度偏转角为$\frac{π}{2}$,并且所有离子的轨迹圆的圆心都在y轴正半轴上,
所以满足题意的最小磁场区域为图乙所示,
根据牛顿第二定律有:qvmB=m$\frac{{v}_{m}^{2}}{{R}_{m}}$,解得:Rm=0.4m,
所以磁场区域最小面积为:S=$\frac{1}{4}$πRm2-$\frac{1}{2}$Rm2=0.04(π-2)=0.0456m2
答:(1)离子的速度大小为1.0×104m/s,离子在磁场中运动的时间为2.1×10-5s.
(2)磁场的最小面积为0.0456m2

点评 求极值的问题可以说是磁场部分难度较大的题目,此类问题关键在于找好临界情况,临界点通常在端点或者相切位置

练习册系列答案
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15.霍尔效应是电磁现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图甲所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流,同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场,则在M、N间出现大小为UH的电压,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足${U_H}=k\frac{IB}{d}$,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.
(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图甲所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(选填“M”或“N”)端通过导线相连.

(2)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图乙所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(选填“a”或“b”),S2掷向c(选填“c”或“d”).
(3)已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如表所示.
I(×10-3A)3.06.09.012.015.018.0
UH(×10-3V)1.11.93.44.56.26.8
根据表中数据在给定区域内(见答题卡)画出UH-I图线,请利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-3V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).

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