题目内容
【题目】硅是制作光伏电池的关键材料。在Si晶体中掺杂不同种类的元素,可形成多电子的n型或缺电子的p型半导体。n型和p型半导体相互叠加形成p-n结,此时自由电子发生扩散运动,在交界面处形成电场。下列说法正确的是
A.1molSi晶体中含有的Si-Si键数目为4NA
B.若在Si晶体中掺入P元素,可得n型半导体
C.p-n结中,n型一侧带负电,p型一侧带正电
D.光伏电池的能量转化形式为:光能→化学能→电能
【答案】B
【解析】
A.硅晶体中,一个硅原子与4个硅原子形成4个Si-Si键,一个Si-Si键2个硅原子共用,平均1molSi晶体中含有的Si-Si键数目为2NA,故A错误;
B.若在Si晶体中掺入P元素,P最外层是5个电子,可形成多电子的n型半导体,故B正确;
C.p-n结中,p型半导体的空穴浓度高,自由电子的浓度低,P型一侧带负电;而n型半导体的自由电子浓度高,空穴浓度低,N型一侧带正电,故C错误;
D.光伏电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,能量转化形式为:光能→电能,故D错误;
故选B。
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