题目内容
[化学--选修物质结构与性质]
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，E单质是制备漂白液的原料，F能形成红色（或砖红色）和黑色的两种氧化物，G是一种主族金属．
（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种．
（2）元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表：
解释表中氟化物熔点差异的原因： ．
（3）已知常温条件下，极性分子DOE2是一种液态化合物，中心原子D的杂化方式是 ．向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE2溶液，生成两种有刺激性气味的气体．请书写此反应的化学方程式 ．
（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．G原子的价电子排布式为 ．在该合成材料中，与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体．在四种基本晶体类型中，此晶体属于 晶体．
（5）F晶体的堆积方式是 （填堆积名称），其配位数为 ． 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量，写出此过程所涉及的两个离子方程式 根据价层电子对互斥理论，预测SO42-的空间构型为 ．
已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且元素原子序数依次增加，A焰色反应呈黄色；工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，E单质是制备漂白液的原料，F能形成红色（或砖红色）和黑色的两种氧化物，G是一种主族金属．
（1）前四周期所有元素中，基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有
（2）元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表：
| 氟化物 | X | Y | Z |
| 熔点/K | 1266 | 1534 | 183 |
（3）已知常温条件下，极性分子DOE2是一种液态化合物，中心原子D的杂化方式是
（4）G与氮原子可1：1化合，形成人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．G原子的价电子排布式为
（5）F晶体的堆积方式是
分析：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且原子序数依次增加．A焰色反应呈黄色，则A为Na；C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，则C为Si；E单质是制备漂白液的原料，则E为Cl；结合原子序数可知B、D处于第三周期，工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，B的氯化物为离子化合物，B原子序数大于Na，故B为Mg；D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，则D为S元素；F能形成红色（或砖红色）和黑色的两种氧化物，则F为Cu；G是一种主族金属，原子序数大于Cu，由（4）中G与氮原子可1：1化合，G表现+3价，则G只能处于ⅢA族，故G为Ga，据此解答．
解答：解：A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期，且原子序数依次增加．A焰色反应呈黄色，则A为Na；C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质，则C为Si；E单质是制备漂白液的原料，则E为Cl；结合原子序数可知B、D处于第三周期，工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B，B的氯化物为离子化合物，B原子序数大于Na，故B为Mg；D的电负性比磷大，第一电离能却比磷小，则D为S元素；F能形成红色（或砖红色）和黑色的两种氧化物，则F为Cu；G是一种主族金属，原子序数大于Cu，由（4）中G与氮原子可1：1化合，G表现+3价，则G只能处于ⅢA族，故G为Ga，
（1）第一周期中，有一个未成对电子的是氢原子，其电子排布为1s1；第二周期中，未成对电子是两个的有两种C：1s22s22p2 和 O：1s22s22p4；第三周期中，未成对电子是三个的是P：1s22s22p63s23p3；第四周期中未成对电子是四个的是Fe：1s22s22p63s23p64s23d6，共5种，
故答案为：5；
（2）NaF与 MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小，故MgF2的熔点比NaF高，
故答案为：NaF与 MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小，故MgF2的熔点比NaF高；
（3）常温条件下，极性分子SOCl2是一种液态化合物，中心原子S原子的价层电子对数=3+
=4、含有1对孤对电子，故S原子采取sp3杂化．向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的SOCl2溶液，生成两种有刺激性气味的气体，应是生成SO2、HCl，该反应的化学方程式SOCl2+H2O=SO2+2HCl，
故答案为：sp3；SOCl2+H2O=SO2+2HCl；
（4）G为Ga，处于第四周期ⅢA族，故Ga原子价电子排布式为4s24p1，在该合成材料GaN中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，GaN晶体结构与单晶硅相似，在四种基本晶体类型中，此晶体属于原子晶体，
故答案为：4s24p1；原子；
（5）Cu晶体面心立方最密堆积，以到达Cu原子为研究对象，与之最近的Cu原子处于面心上，每个顶点Cu原子为12个面共用，故其配位数为12． 向硫酸铜溶液中滴加氨水直至过量，先生成氢氧化铜沉淀，最后氢氧化铜与氨水生成[Cu（NH3）4]2+，涉及的反应离子方程式为：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；
SO42-中心原子S的价层电子对=4+
=4、S原子孤电子对数为0，故SO42-为正四面体结构，
故答案为：面心立方最密堆积；12；Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；正四面体．
（1）第一周期中，有一个未成对电子的是氢原子，其电子排布为1s1；第二周期中，未成对电子是两个的有两种C：1s22s22p2 和 O：1s22s22p4；第三周期中，未成对电子是三个的是P：1s22s22p63s23p3；第四周期中未成对电子是四个的是Fe：1s22s22p63s23p64s23d6，共5种，
故答案为：5；
（2）NaF与 MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小，故MgF2的熔点比NaF高，
故答案为：NaF与 MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小，故MgF2的熔点比NaF高；
（3）常温条件下，极性分子SOCl2是一种液态化合物，中心原子S原子的价层电子对数=3+
| 6-2-1×2 |
| 2 |
故答案为：sp3；SOCl2+H2O=SO2+2HCl；
（4）G为Ga，处于第四周期ⅢA族，故Ga原子价电子排布式为4s24p1，在该合成材料GaN中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体，GaN晶体结构与单晶硅相似，在四种基本晶体类型中，此晶体属于原子晶体，
故答案为：4s24p1；原子；
（5）Cu晶体面心立方最密堆积，以到达Cu原子为研究对象，与之最近的Cu原子处于面心上，每个顶点Cu原子为12个面共用，故其配位数为12． 向硫酸铜溶液中滴加氨水直至过量，先生成氢氧化铜沉淀，最后氢氧化铜与氨水生成[Cu（NH3）4]2+，涉及的反应离子方程式为：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；
SO42-中心原子S的价层电子对=4+
| 6+2-2×4 |
| 2 |
故答案为：面心立方最密堆积；12；Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3?H2O=[Cu（NH3）4]2++2OH-+4H2O；正四面体．
点评：本题综合考查物质结构与性质，涉及元素推断、元素周期律、核外电子排布、晶体类型与性质、杂化轨道与价层电子对互斥理论、分子结构、配合物，常用化学用语等，为高考常见题型，侧重于学生的分析能力和综合运用化学知识的能力的考查，正确推断元素是解本题关键，题目难度中等．
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