题目内容
【题目】锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛.回答下列问题:
(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar] , 有个未成对电子.
(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但Ge原子之间难以形成双键或叁键.从原子结构角度分析,原因是 .
(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因 .
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔点/℃ | ﹣49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
(4)光催化还原CO2制备CH4反应中,带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂.Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是 .
(5)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为微粒之间存在的作用力是 .
(6)晶胞有两个基本要素:①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,如图(1、2)为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);B为( ,0, );C为( , ,0).则D原子的坐标参数为 .
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状,已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm,其密度为gcm﹣3(列出计算式即可).
【答案】
(1)3d104s24p2;2
(2)锗的原子半径大,原子之间形成的ρ单键较长,p﹣p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键
(3)GeCl4、GeBr4、GeI4熔、沸点依次增高;原因是分子结构相似,相对分子质量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强
(4)O>Ge>Zn
(5)sp3;共价键
(6)( , , );
【解析】解:(1.)Ge是32号元素,位于第四周期第IVA族,基态Ge原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2 , 在最外层的4s能级上2个电子为成对电子,4p轨道中2个电子分别处以不同的轨道内,有2轨道未成对电子,所以答案是:3d104s24p2;2;
(2.)虽然Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但考虑Ge的原子半径大,难以通过“肩并肩”方式形成π键,所以Ge原子之间难以形成双键或叁键,所以答案是:Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p﹣p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键;
(3.)锗的卤化物都是分子晶体,分子间通过分子间作用力结合,对于组成与结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高,由于相对分子质量:GeCl4<GeBr4<GeI4 , 故沸点:GeCl4<GeBr4<GeI4 , 所以答案是:GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高;原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强;
(4.)元素非金属性:Zn<Ge<O,元素的非金属性越强,吸引电子的能力越强,元素的电负性越大,故电负性:O>Ge>Zn,所以答案是:O>Ge>Zn;
(5.)Ge单晶具有金刚石型结构,Ge原子与周围4个Ge原子形成正四面体结构,向空间延伸的立体网状结构,属于原子晶体,Ge原子之间形成共价键,Ge原子杂化轨道数目为4,采取sp3杂化,所以答案是:sp3;共价键;
(6.)①D与周围4个原子形成正四面体结构,D与顶点A的连线处于晶胞体对角线上,过面心B、C及上底面面心原子的平面且平行侧面将晶胞2等分,同理过D原子的且平衡侧面的平面将半个晶胞再2等份,可知D处于到各个面的 处,则D原子的坐标参数为( , , ),所以答案是:( , , );②晶胞中Ge原子数目为4+8× +6× =8,结合阿伏伽德罗常数,可知出晶胞的质量为 ,晶胞参数a=565.76pm,其密度为 ÷(565.76×10﹣10cm)3= ,所以答案是: .
【题目】2SO2(g)+ O2(g) 2SO3(g)是工业制硫酸的主要反应之一。一定温度下,在甲、乙、丙三个容积均为2L的恒容密闭容器中投入SO2(g)和O2(g),其起始物质的量及SO2的平衡转化率如下表所示。下列判断正确的是
甲 | 乙 | 丙 | ||
起始物质的量 | n(SO2)/mol | 0.4 | 0.8 | 0.8 |
n(O2)/mol | 0.24 | 0.24 | 0.48 | |
SO2的平衡转化率/% | 80 | α1 | α2 |
A. 甲中反应的平衡常数小于乙
B. 该温度下,平衡常数值为400
C. 平衡时,丙中c(SO3)是甲中的2倍
D. 平衡时,甲中O2的转化率大于乙中O2的转化率