题目内容
【题目】短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大,原子最外层电子数之和为17。其中W、X、Y三种元素的简单离子的核外电子排布相同,且可形成结构如图所示的化合物。下列说法正确的是( )
A.原子半径:Z>Y>X>W
B.X与Z形成的化合物会抑制水的电离
C.X、Z均能形成两种常见氧化物
D.W的最高价氧化物对应水化物的酸性最强
【答案】C
【解析】
短周期主族元素W、X、Y三种元素的简单离子的核外电子排布相同,且X形成一价阳离子,W形成一条共价键,则W为F、X为Na,再根据阴离子结构Y为Al,Z原子的最外层电子数为17-7-1-3=6,则Z为S,据此分析解答。
A. 原子半径:Na>Al>S>F,A错误;
B. X与Z形成的化合物为硫化钠,是强碱弱酸盐,会水解促进水的电离,B错误;
C. 钠能形成氧化钠、过氧化钠,硫能形成二氧化硫、三氧化硫,C正确;
D. W为F,没有正化合价,D错误;
答案选C。
【题目】以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点,如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能即为10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。请回答下列问题:
(1)基态镓原子的价电子排布式为___。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为__和+3。砷的电负性比镓__(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高,分析其变化原因:__。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000℃,可能的原因是__。
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的,该反应在700℃进行,反应的方程式为:___。
②反应物AsH3分子的几何构型为__,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为__。
(5)砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a=565pm,As的配位数为__,晶体的密度为__(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。