题目内容
(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为 。
(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为 。
(3)B元素的单质分子中有 个π键。
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为 。
(5)FH3沸点与比BH3 (填“高”或“低”)，原因是 。
(6)固体CrE3?6H2O溶于水可能有几种不同组成的配离子，实验将含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通过H-离子交换树脂(只交换配阳离子)，交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和。已知配离子配位数为6，则该配离子是
（1）1s22s22p63s23p63d104s24p1 （1分）
（2）N＞C＞Si （1分）
（3）2 （1分）
（4）sp 范德华力 （2分）
（5） 低 （1分） NH3分子间能形成氢键，而AsH3分子间不能形成氢键（1分）
（6）【Cr(H2O)4Cl2】+（3分）
（分）已知A、B、C、D、E五种元素都是元素周期表中前20号元素，原子序数依次增大，E的特征电子排布式为4s2。A、B、C、D四种元素在元素周期表中的相对位置如下表所示。
| …… | A | ||||||
| B | C | D |
根据以上信息，回答下列问题：
(1)元素C在元素周期表中的位置是 周期 族；D的电子排布式为： 。
(2)A和D的氢化物中，沸点较高的是 ，原因是
；A和B的离子中，半径较小的是 （填离子符号）。
(3) A和E可组成离子化合物，其晶胞(晶胞是在晶体中具有代表性的最小重复单元)结构如右图所示（阳离子用“●”表示，位于该正方体的顶点或面心；阴离子用“〇”表示，均位于小正方体中心）。该化合物的电子式是 。
（4）A和E化合物的晶胞1/8的体积为2.0×10-23cm3，求A和E组成的离子化合物的密度，请列式并计算（结果保留一位小数）：_______________________________。
