题目内容
【题目】A~G是前四周期除稀有气体之外原子序数依次增大的七种元素。A与其他元素既不同周期又不同族;B、C的价电子层中未成对电子数都是2;E核外的s、p能级的电子总数相等;F与E同周期且第一电离能比E小;G的+1价离子(G+)的各层电子全充满。回答下列问题:
(1)写出元素名称:B_______,G_______。
(2)写出F的价电子排布图:_______。
(3)写出化合物BC的结构式:__________________。
(4)由A、C、F三元素形成的离子[F(CA)4]— 是F在水溶液中的一种存在形式,其中F的杂化类型是________________。
(5)在测定A、D形成的化合物的相对分子质量时,实验测定值一般高于理论值的主要原因是______________________。
(6)E的一种晶体结构如图甲,则其一个晶胞中含有_______个E;G与D形成的化合物的晶胞结构如图乙,若晶体密度为ag/cm3,则G与D最近的距离为____pm
(阿伏加德罗常数用NA表示,列出计算表达式,不用化简;乙中○为G,●为D。)
【答案】碳 铜 C≡O SP3杂化 HF分子间通过氢键形成缔合分子 2 ×108pm
【解析】
A~G是前四周期除稀有气体之外原子序数依次增大的七种元素。A与其他元素既不同周期又不同族,是H;B、C只能是第2周期元素,价电子层中未成对电子数都是2是2p2和2p4产生的,故分别是C和O;E核外的s、p能级的电子总数相等,有1s22s22p4或1s22s22p63s2,从晶体来看为金属,故是Mg;F与E(Mg)同周期且第一电离能比Mg小,F是Al;G的+1价离子(G+)的各层电子全充满,是第4周期元素,离子应该为1s22s22p63s23p63d10,是Cu。D不在第IA族,有时8O~12Mg之间,为F。
(4)离子[Al(OH)4]— 中的Al价层电子4对,杂化类型是sp3。
(5)在测定A、D形成的化合物HF的相对分子质量时,因HF分子间通过氢键形成缔合分子使得实验测定值一般高于理论值。
(6)如图甲Cu的一种晶体结构是六方最密堆积,图为3个晶胞,一个晶胞中含有2个Cu;Cu与F形成的化合物是的晶胞结构如图乙,1:1的是CuF,Cu与F最近的距离为为对角线的1/4,故有:
Cu与F最近的距离×108pm
【题目】GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]___,下列状态的铝中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是___(填标号)。
A. B. C.[Ne] D.
(2)8一羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4与(8一羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为____;所含元素中电负性最大的是___(填元素符号),C、N、O的杂化方式依次为____、_____和____。
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔点/°C | 1040 | 1000 | 194 |
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是_____。
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6,二聚体Al2Cl6的结构式为____;其中Al的配位数为____。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示,其晶胞参数为apm。
①紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y,则__。
②设阿伏加德罗常数的值为NA,则GaAs的密度是___g·cm一3(列出计算表达式)。