题目内容
如图所示为几种离子晶体的空间结构示意图，以M代表阳离子，以N代表阴离子，化学式为MN2的晶体结构为
B
碳元素是形成单质及其化合物种类最多的元素。回答下列有关问题。
（1）碳元素可形成多种不同形式的单质，下列是几种单质的结构图
a b c
观察上述结构，判断a中碳原子的杂化方式为 ，b对应的物质是 ，
c是C60的分子结构模型，在每个C60分子中形成的σ键数目为 。
（2）在C60单质中，微粒之间的作用力为 ，C60能与金属钾化合生成具有超导性的K3C60，在K3C60中阴阳离子个数比为1∶3，则K3C60属于 晶体。
（3）CO是碳元素的常见氧化物，分子中C原子上有一对孤对电子，与N2互为等电子体，则CO的结构式为 ；写出另一与CO互为等电子体的化学式 。
（4）CO可以和很多过渡金属形成配合物。金属镍粉在CO气流中轻微地加热，可生成液态的Ni(CO)4，用配位键表示Ni(CO)4 的结构为 ；写出基态Ni原子的电子排布式 。
（5）科学发现，C和Ni、Mg元素的原子形成的晶体也具有超导性，其晶胞的结构特点如右图，则该化合物的化学式为 ； C、Ni、Mg三种元素中，电负性最大的是 。
（6）碳的氢化物甲烷在自然界中广泛存在，其中可燃冰是有待人类开发的新能源。可燃冰是一种笼状结构，CH4分子存在于H2O分子形成的笼子中（如右图所示）。两种分子中，共价键的键能 ；CH4分子与H2O分子的分子量相差不大，但两种物质的熔沸点相差很大，其主要原因是 。
碳元素是形成单质及其化合物种类最多的元素。回答下列有关问题。（1）碳元素可形成多种不同形式的单质，下列是几种单质的结构图a b c 观察上述结构，判断a中碳原子的杂化方式为 ，b对应的物质是 ，c是C60的分子结构模型，在每个C60分子中形成的σ键数目为 。（2）在C60单质中，微粒之间的作用力为 ，C60能与金属钾化合生成具有超导性的K3C60，在K3C60中阴阳离子个数比为1∶3，则K3C60属于 晶体。（3）CO是碳元素的常见氧化物，分子中C原子上有一对孤对电子，与N2互为等电子体，则CO的结构式为 ；写出另一与CO互为等电子体的化学式 。（4）CO可以和很多过渡金属形成配合物。金属镍粉在CO气流中轻微地加热，可生成液态的Ni(CO)4，用配位键表示Ni(CO)4的结构为 ；写出基态Ni原子的电子排布式 。（5）科学发现，C和Ni、Mg元素的原子形成的晶体也具有超导性，其晶胞的结构特点如右图，则该化合物的化学式为 ； C、Ni、Mg三种元素中，电负性最大的是 。（6）碳的氢化物甲烷在自然界中广泛存在，其中可燃冰是有待人类开发的新能源。可燃冰是一种笼状结构，CH4分子存在于H2O分子形成的笼子中（如右图所示）。两种分子中，共价键的键能 ；CH4分子与H2O分子的分子量相差不大，但两种物质的熔沸点相差很大，其主要原因是 。
(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为 。
(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为 。
(3)B元素的单质分子中有 个π键。
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为 。
(5)FH3沸点与比BH3 (填“高”或“低”)，原因是 。
(6)固体CrE3?6H2O溶于水可能有几种不同组成的配离子，实验将含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通过H-离子交换树脂(只交换配阳离子)，交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和。已知配离子配位数为6，则该配离子是
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已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外电子层的P能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如图所示．E的电负性在该周期中最大．镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
b 
c 
点如右图，则该化合物的化学式为 ； C、Ni、Mg三种元素中，电负性最大的是 。
b 
c 
(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。