题目内容

【题目】下列离子方程式中正确的是 ( )

A工业上粗硅的制备:SiO2CSi+CO2

BCu2O与稀H2SO4反应:Cu2O2H+=2Cu+H2O

C用稀硝酸洗涤试管内壁的银镜:3Ag+4H++NO3=3Ag++NO↑+2H2O

D.Mg(HCO3)2溶液中加足量烧碱溶液:Mg2+2HCO3+2OH=MgCO3↓+2H2O+CO32

【答案】C

【解析】

试题分析:A工业上粗硅的制备需要在高温下进行,反应生成一氧化碳,故A错误;B溶液中Cu+不稳定,发生歧化反应生成铜和铜离子,故B错误;C用稀硝酸洗涤试管内壁的银镜反应生成硝酸银和一氧化氮气体,故C正确;D.Mg(HCO3)2溶液中加足量烧碱溶液反应生成氢氧化镁沉淀,故D错误;故选C

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