题目内容

【题目】锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛.回答下列问题:
(1)基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar] , 有个未成对电子.
(2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但Ge原子之间难以形成双键或叁键.从原子结构角度分析,原因是
(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因

GeCl4

GeBr4

GeI4

熔点/℃

﹣49.5

26

146

沸点/℃

83.1

186

约400


(4)光催化还原CO2制备CH4反应中,带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂.Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是
(5)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为 , 微粒之间存在的作用力是
(6)晶胞有两个基本要素:
①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置,如图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);B为( ,0, ),C为( ,0).则D原子的坐标参数为
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状,已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm,其密度为gcm3(列出计算式即可).

【答案】
(1)3d104s24p2;2
(2)Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p﹣p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键
(3)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高,原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强
(4)O>Ge>Zn
(5)sp3;共价键
(6)( ); ×107
【解析】解:(1)Ge是32号元素,位于第四周期第IVA族,基态Ge原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2 , 在最外层的4s能级上2个电子为成对电子,4p轨道中2个电子分别处以不同的轨道内,有2轨道未成对电子,所以答案是:3d104s24p2;2;(2)虽然Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但考虑Ge的原子半径大,难以通过“肩并肩”方式形成π键,所以Ge原子之间难以形成双键或叁键,所以答案是:Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,p﹣p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键;(3)锗的卤化物都是分子晶体,分子间通过分子间作用力结合,对于组成与结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高,由于相对分子质量:GeCl4<GeBr4<GeI4 , 故沸点:GeCl4<GeBr4<GeI4 , 所以答案是:GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高,原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强;(4)元素非金属性:Zn<Ge<O,元素的非金属性越强,吸引电子的能力越强,元素的电负性越大,故电负性:O>Ge>Zn,所以答案是:O>Ge>Zn;(5)Ge单晶具有金刚石型结构,Ge原子与周围4个Ge原子形成正四面体结构,向空间延伸的立体网状结构,属于原子晶体,Ge原子之间形成共价键,Ge原子杂化轨道数目为4,采取sp3杂化,所以答案是:sp3;共价键;(6)①D与周围4个原子形成正四面体结构,D与顶点A的连线处于晶胞体对角线上,过面心B、C及上底面面心原子的平面且平行侧面将晶胞2等分,同理过D原子的且平衡侧面的平面将半个晶胞再2等份,可知D处于到各个面的 处,则D原子的坐标参数为( );所以答案是:( );②晶胞中Ge原子数目为4+8× +6× =8,结合阿伏伽德罗常数,可知出晶胞的质量为 ,晶胞参数a=565.76pm,其密度为 ÷(565.76×1010cm)3= ×107gcm3
所以答案是: ×107

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