题目内容
【题目】某强酸性溶液X可能含有、、、、、、、、、、中的一种或几种,取该溶液进行连续实验,实验过程如下:
测定A、F、I均为,10mLX溶液中,沉淀C物质的量小于,根据以上信息,下列说法正确的是
A.由实验可知,气体A一定是NO,沉淀C一定是,原溶液中肯定含有
B.溶液E和气体F不能发生化学反应
C.由实验可知,沉淀I可能是和
D.原溶液中肯定含有、、、、,不能确定是否含有
【答案】D
【解析】
加入过量硝酸钡生成沉淀,则该沉淀为沉淀,说明溶液中含有离子,生成气体A,A连续氧化生成D和E,则A为NO,强酸性溶液中一定不会存在和离子,选项A错误;
B.溶液E为硝酸,F为,二者反应生成硝酸铵,选项B错误;
C.通入过量气体,将有碳酸氢钡生成,故生成沉淀I为,选项C错误;
D.在强酸性溶液中一定不会存在和离子,加入过量硝酸钡生成沉淀,则该沉淀为沉淀,说明溶液中含有离子,生成气体A,A连续氧化生成D和E,则A为NO,D为,E为,说明溶液中含有还原性离子,一定为离子,溶液B中加入过量NaOH溶液,生成气体F,则F为,说明溶液中含有离子,溶液H中通入过量气体,生成沉淀I,则I为,H中含有NaOH和,说明溶液中含有离子,强酸性溶液中含有离子,就一定不含和NO2-离子,含有离子就一定不含离子,不能确定是否含有的离子是,根据A、F、I均为,推出、、,,沉淀C物质的量小于,、根据溶液电荷守恒,推出含有氯离子,原溶液中肯定含有、、、、,不能确定是否含有的离子,选项D正确;
答案选D。
【题目】下图所示的电解池I和II中,a、b、c和d均为Pt电极。电解过程中,电极b和d上没有气体逸出,但质量均增大,且增重b﹤d。符合上述实验结果的盐溶液是
选项 | X | Y |
A. | MgSO4 | CuSO4 |
B. | AgNO3 | Pb(NO3)2 |
C. | FeSO4 | Al2(SO4)3 |
D. | CuSO4 | AgNO3 |
【题目】[化学—选修3:物质结构与性质]
硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题:
(1)基态Si原子中,电子占据的最高能层符号为_______,该能层具有的原子轨道数为________、电子数为___________。
(2)硅主要以硅酸盐、___________等化合物的形式存在于地壳中。
(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以___________相结合,其晶胞中共有8个原子,其中在面心位置贡献__________个原子。
(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4,该反应的化学方程式为___________________________________。
(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:
化学键 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
键能/(kJmol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,原因是______。
②SiH4的稳定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是___________________________。
(6)在硅酸盐中,SiO4- 4四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根,其中Si原子的杂化形式为______,Si与O的原子数之比为_________,化学式为__________________。