在微电子工业中NF3常用作氮化硅的蚀刻剂.工业上通过电解含NH4F等的无水熔融物生产NF3.其电解原理如图．下列说法不正确的是( )A．a电极为电解池的阳极B．阳极的电极反应式:NH4++3F--6e-=NF3+4H+C．电解过程中还会生成少量氧化性极强的气体单质.该气体的分子式是F2D．H+由b极移向a极.并参与电极反应题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

题目内容

2．

在微电子工业中NF₃常用作氮化硅的蚀刻剂，工业上通过电解含NH₄F等的无水熔融物生产NF₃，其电解原理如图．下列说法不正确的是（　　）

	A．	a电极为电解池的阳极
	B．	阳极的电极反应式：NH₄⁺+3F^--6e^-=NF₃+4H⁺
	C．	电解过程中还会生成少量氧化性极强的气体单质，该气体的分子式是F₂
	D．	H⁺由b极移向a极，并参与电极反应

分析由图可知，氢离子在b极得到电子生成氢气，故b为阴极，那么a为阳极铵根失电子发生氧化反应生成NF₃，反应式为：NH₄⁺+3F^--6e^-=NF₃+4H⁺；依据电解原理可知，氟离子也可能失去电子生成氟单质，阳离子移向阴极，据此分析判断．

解答解：A．由图可知，氢离子在b极得到电子生成氢气，故b为阴极，那么a为阳极，故A正确；
B．a为阳极铵根失电子发生氧化反应生成NF₃，反应式为：NH₄⁺+3F^--6e^-=NF₃+4H⁺，故B正确；
C．依据电解原理可知，氟离子也可能失去电子生成氟单质，所以电解过程中还会生成少量氧化性极强的气体单质，该气体的分子式是F₂，故C正确；
D．电解过程中，H⁺向阴极移动，所以H⁺由a极移向b极，故D错误；
故选D．

点评本题主要考查的是电解池反应原理等，注意结合装置图分析判断电极反应及产物，难度不大，注意整理归纳．

练习册系列答案

7．可能造成光化学烟雾污染的气体是（　　）

SO₂

NO₂

CO₂

10．下列有关化学用语的表示正确的是（　　）

	A．	CSO的电子式：		B．	二氧化碳的结构式：O-C-O
	C．	中子数为45的溴原子：₃₅⁴⁵Br		D．	Cl^-离子的结构示意图

17．下表是元素周期表的一部分，请用元素符号或化学式回答有关问题：

	ⅠA	ⅡA	ⅢA	ⅣA	ⅤA	ⅥA	ⅦA	0
2				①	②		③
3		④	⑤			⑥	⑦	⑧
4	⑨						⑩

（1）表中化学性质最不活泼的元素是Ar，最活泼的金属元素是K，最活泼的非金属元素是F．
（2）表中能形成两性氧化物的元素是Al，写出该元素的单质与⑨最高价氧化物的水化物反应的离子方程式2Al+2OH^-+2H₂O═2AlO₂^-+3H₂↑．
（3）③⑥⑦三种元素原子半径由大到小的顺序是S＞Cl＞F．
（4）用电子式表示由元素⑨⑦形成化合物的过程：K⁺+

→

．
（5）③元素与⑩元素两者核电荷数之差是26．
（6）设计实验方案：比较⑦与⑩单质氧化性的强弱，请将方案填入下表．

实验步骤	实验现象与结论

7．下列表示物质结构的化学用语或模型正确的是（　　）

	A．	8个中子的碳原子的核素符号：¹²C		B．	氢氧化钠的电子式：
	C．	乙烯的结构简式：CH₂CH₂		D．	CH₄分子的比例模型：