题目内容
[选修3-物质结构与性质]
原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素，核电荷数均小于36．已知X的 一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，且所有原子共平面；Z的L层上有2个未 成对电子；Q原子s能级与P能级电子数相等；R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子．
（1）Y原子核外共有 种不同运动状态的电子，T原子有 种不同能级的电子．
（2）X、Y、Z的第一电离能由小到大的顺序为 （用元素符号表示）．
（3）由X、Y、Z形成的离子ZXY-与XZ2互为等电子体，则ZXY-中X原子的杂化轨道类 型为
（4）Z与R能形成化合物甲，1mol甲中含 mol化学键，甲与氢氟酸反应，生成 物的分子空间构型分别为
（5）G、Q、R氟化物的熔点如下表，造成熔点差异的原因为
（6）向T的硫酸盐溶液中逐滴加入Y的氢化物的水溶液至过量，反应的离子方程式为 
（7）X单质的晶胞如图所示，一个X晶胞中有 个X原子；若X晶体的密度为p g/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体中最近 的两个X原子之间的距离为 cm（用代数式表示）
原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素，核电荷数均小于36．已知X的 一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，且所有原子共平面；Z的L层上有2个未 成对电子；Q原子s能级与P能级电子数相等；R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子．
（1）Y原子核外共有
（2）X、Y、Z的第一电离能由小到大的顺序为
（3）由X、Y、Z形成的离子ZXY-与XZ2互为等电子体，则ZXY-中X原子的杂化轨道类 型为
（4）Z与R能形成化合物甲，1mol甲中含
（5）G、Q、R氟化物的熔点如下表，造成熔点差异的原因为
| 氟化物 | G的氟化物 | Q的氟化物 | R的氟化物 | 熔点/K | 993 | 1539 | 183 |
（7）X单质的晶胞如图所示，一个X晶胞中有
分析：X的一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，所有原子共平面，说明该氢化物中含有双键或三键，氢化物中乙烯中含有σ键和π键，且是1：2型氢化物，所以x是C元素；Z的L层上有2个未成对电子，则L层上有6个电子，所以Z为O元素；Q原子s能级与P能级电子数相等，则Q的电子排布为1s22s22p63s2，所以Q为Mg元素；R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料，则R为Si元素；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子，则T为Cu元素；X、Y、Z、G、Q、R、T原子序数依次增大，Y为N元素；G能形成氟化物，且其原子序数小于Mg，则G为Na元素；根据以上元素的性质，结合选项分析解答．
解答：解：X的一种1：2型氢化物分子中既有σ键又有π键，所有原子共平面，说明该氢化物中含有双键或三键，氢化物中乙烯中含有σ键和π键，且是1：2型氢化物，所以x是C元素；Z的L层上有2个未成对电子，则L层上有6个电子，所以Z为O元素；Q原子s能级与P能级电子数相等，则Q的电子排布为1s22s22p63s2，所以Q为Mg元素；R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料，则R为Si元素；T处于周期表的ds区，原子中只有一个未成对电子，则T为Cu元素；X、Y、Z、G、Q、R、T原子序数依次增大，Y为N元素；G能形成氟化物，且其原子序数小于Mg，则G为Na元素；
（1）Y为N元素，其电子排布图为：
，所以其原子核外共有7种不同运动状态的电子；Cu原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1，所以Cu原子有7种不同能级的电子，
故答案为：7；7；
（2）C、N、O为同周期元素，同周期元素第一电离能从左到右依次增大，但是第IIA族与第IIIA族反常，第VA族与第VIA族反常，所以）C、N、O的第一电离能由小到大的顺序为：C＜O＜N，故答案为：C＜O＜N；
（3）已知CO2与CNO-为等电子体，则二者的空间结构和和杂化方式相同，已知为CO2直线形，C为sp杂化，所以CNO-中C为sp杂化，故答案为：sp；
（4）Z与R能形成化合物甲为SiO2，1molSiO2中含4molSi-O，SiO2与氢氟酸反应，生成物为SiF4和H2O，分子空间构型分别为正四面体和V形；
故答案为：4；正四面体和V形；
（5）不同晶体熔点的一般规律是：离子晶体的熔点＞分子晶体的熔点，离子晶体中半径越小，所带电荷越多，熔点越高，NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；
故答案为：NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；
（6）向Cu的硫酸盐溶液中逐滴加入氨水至过量，开始生成氢氧化铜沉淀，后来沉淀溶解生成四氨合铜离子，其反应的离子方程式为：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-，
故答案为：Cu2++2 NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-；
（7）C单质的晶胞如图所示，在顶点上8个原子，面心上2个原子，晶体内部为4个原子，所以一个C晶胞中原子数为：
×8+
×6+4=8；
设晶体中最近的两个X原子之间的距离为xcm，晶胞的边长为acm，则a3=
，由晶胞图可知a2+a2=（4x?sin
）2，所以2
=2
x?sin
；
所以x=
，
故答案为：8；
．
（1）Y为N元素，其电子排布图为：
，所以其原子核外共有7种不同运动状态的电子；Cu原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1，所以Cu原子有7种不同能级的电子，故答案为：7；7；
（2）C、N、O为同周期元素，同周期元素第一电离能从左到右依次增大，但是第IIA族与第IIIA族反常，第VA族与第VIA族反常，所以）C、N、O的第一电离能由小到大的顺序为：C＜O＜N，故答案为：C＜O＜N；
（3）已知CO2与CNO-为等电子体，则二者的空间结构和和杂化方式相同，已知为CO2直线形，C为sp杂化，所以CNO-中C为sp杂化，故答案为：sp；
（4）Z与R能形成化合物甲为SiO2，1molSiO2中含4molSi-O，SiO2与氢氟酸反应，生成物为SiF4和H2O，分子空间构型分别为正四面体和V形；
故答案为：4；正四面体和V形；
（5）不同晶体熔点的一般规律是：离子晶体的熔点＞分子晶体的熔点，离子晶体中半径越小，所带电荷越多，熔点越高，NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；
故答案为：NaF与MgF2为离子晶体，SiF4为分子晶体，故SiF4的熔点低；Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高，晶格能MgF2＞NaF，故MgF2的熔点比NaF高；
（6）向Cu的硫酸盐溶液中逐滴加入氨水至过量，开始生成氢氧化铜沉淀，后来沉淀溶解生成四氨合铜离子，其反应的离子方程式为：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-，
故答案为：Cu2++2 NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-；
（7）C单质的晶胞如图所示，在顶点上8个原子，面心上2个原子，晶体内部为4个原子，所以一个C晶胞中原子数为：
| 1 |
| 8 |
| 1 |
| 2 |
设晶体中最近的两个X原子之间的距离为xcm，晶胞的边长为acm，则a3=
| ||
| p |
| 109°28′ |
| 2 |
| 3 |
| ||
| 2 |
| 109°28′ |
| 2 |
所以x=
| |||||||
2sin
|
故答案为：8；
| |||||||
2sin
|
点评：本题考查了元素的推断，涉及了电子的运动状态的判断，电负性的比较，物质熔沸点的比较，离子方程式的书写，晶胞的有关计算，考查的知识点较多，题目难度较大．
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