题目内容

【题目】甲、乙两同学在t=0开始从同一地点沿平直路面同方向运动,他们运动的路程s随时间变化t的规律如图所示。下列说法正确的是(  )

A.甲同学速度比乙同学速度大

B.乙同学做匀速直线运动的速度是1m/s

C.甲同学第20s后做匀速直线运动

D.甲、乙同学再次相遇时距起点60m

【答案】D

【解析】

A.从图中可以看到,前20s甲同学速度比乙同学速度大,但是20s之后,甲是静止的,乙同学的速度大于甲同学的速度,A错误;

B.从图中可以看到,50s内乙同学走过的路程是75m,那么乙同学做匀速直线运动的速度是

不是1m/s,B错误;

C.从图中可看到,甲同学第20s后距离不再变化,处于静止状态,不是做匀速直线运动,C错误;

D.甲、乙同学再次相遇时,走过的路程是相同的,从图中可以看到,第40s时甲、乙同学再次相遇,并且距起点60m,D正确。

故选D

练习册系列答案
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【题目】阅读短文,回答问题:

巨磁电阻效应

1988年阿尔贝费尔和彼得格林贝格尔发现,在铁、铬相间的三层复合膜电阻中,微弱的磁场可以致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为“巨磁电阻效应”。

格林贝格尔发现,并非任意两种不同种金属的三层复合膜都具有“巨磁电阻效应”。三层膜中,只有两侧是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种,中间一层是不易被磁化的其他金属,才可能产生“巨磁电阻效应”。

用R0表示未加磁场时复合膜的电阻,R表示加入磁场后复合膜的电阻。实验测得,铁、铬组成复合膜的与磁场强度的关系如图乙所示。三条图线中铁膜层的厚度均是3nm,图线1、图线2和图线3中铬膜层的厚度分别是1.8nm、1.2nm和0.9nm。

1994年IBM公司利用“巨磁电阻效应”,研制出“新型读出磁头”,用于家用计算机的硬盘中。这种磁头将磁场对复合膜阻值的影响转换成电压的变化来读取信息。

(1)以下三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是_____

A.铁// B.钴// C.金// D.铜//

(2)图乙中所加磁场强度逐渐增强时,图线3对应复合膜的阻值的变化情况是_____

(3)“新型读出磁头”可将微弱的磁信息转化为电信息。该转化过程_____(是/不是)利用电磁感应原理。

(4)图乙中当磁场强度是20单位时,下列分析正确的是_____

A.图线1的阻值最大 B.图线3的阻值最大

C.图线1的阻值变化最显著 D.图线3的阻值变化最显著

(5)图丙中“A…E”是家用计算机硬盘某磁道。铁、铬复合膜的“新型读出磁头”中电流I保持恒定。磁头从左向右匀速经过该磁道的过程中,磁头两端电压U变化情况如图丁所示。如果用1表示有磁区域,0表示无磁区域,则用10表示图丙中ABCDE_____

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