题目内容
下列说法中正确的是( )
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试题答案
D
下列说法中正确的是 ( )
A.根据磁感应强度B的定义式B=F/IL可知,磁感应强度B与F成正比,与IL成反比
B.一小段通电导线在某处不受磁场力作用,该处的磁感应强度一定为零
C.穿过一个单匝线圈的磁通量始终保持每秒钟均匀地减少了2Wb,则线圈中感应电动势每秒减少2V
D.感应电流的磁场总是阻碍原磁通量的变化
查看习题详情和答案>>下列说法中正确的是( )
A.根据
可知,磁场中某处的磁感应强度B与通电导线所受的磁场力F成正比
B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大
C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大
D.根据
可知,线圈中磁通量变化越快,线圈中产生的感应电动势一定越大
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下列说法中正确的是( )
| A.根据 |
| B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大 |
| C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大 |
| D.根据 |
A.根据B=
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| B.根据F=BIL可知,在磁场中某处放置的电流越大,则受到的安培力一定越大 | ||
| C.根据Ф=BS可知,闭合回路的面积越大,穿过该线圈的磁通量一定越大 | ||
D.根据B=
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