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单选题：
1
2
3
4
5
B
C
A
D
B
多选题：
6
7
8
9
ACD
ABD
BD
ABC
简答题：
10．
答案：(1)如右图所示
(2)1500 0.90
(3)在0～0 2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化(或不均匀变化);在0.4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化(或均匀变化)
(4)磁场反向磁敏电阻的阻值不变
11．①A
②连接如右图
③ 3.0V，1.0 W，
12．模块3―4试题（10分）
12．（1）AEF
（2）l1、l3；l1/l3 ………………………………………………………（每空2分）
（3）①波长λ =
……………………………………………………………………………………（2分）
②n = t/T
= 4.5，则4.5s内路程s = 4nA =
…………………………………………………………………………………（2分）
13．模块3―5试题（10分）
13．（1）ABF
（2）B的右端至D板的距离L2……………………………………………………（2分）
………………………………………………………………（2分）
（3）①4
H →
He +2
e…………………………………………………………（2分）
②Δm = 4mP－ mα－2me = 4×1.0073u－4.0015u－2×0.0005u = 0.0267 u…（2分）
ΔE = Δ mc2 = 0.0267 u×931.5MeV/u ＝24.86 MeV …………………………（2分）
计算题：
14．必修268页
15．解：（1）由
，
，
，得
，所以当
最大时，即
s时，
动能最大
（2）由于
图像是直线，得
，根据图中斜线所画的面积，
由有效值的概念得，
所以
（3）由功能关系得拉力做的功为
16．（14分）解：（1）磁感应强度B1与B2的方向垂直纸面向外．（2分）
（2）设带电粒子的电荷量为q，质量为m，在B1 和B2中运动轨道半径分别为r1和r2，周期分别为T1和T2，由
和
得
①（1分）
②（1分）
③（1分）
④（1分）
粒子第2次过x轴，沿x轴的位移x = 2（r1－r2） ⑤（1分）
运动的时间
⑥ （1分）
平均速度
⑦（1分）
则由①②③④⑤⑥⑦式得：
（1分）
（3）粒子第n次过x轴的位移x = 
⑧（1分）
经过的时间
⑨ （1分）
联立⑦⑧⑨式解得：
⑩ （2分）
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表A，量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表V，量程3V，内阻约3KΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| U （V） | 0.00 | 0.45 | 0.92 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
| A （mA） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻一磁感应强度特性曲线，其中RB，R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．
提供的器材如下：
A．磁敏电阻，无磁场时阻值Ro=150Ω
B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω
C．电流表．量程2.5mA，内阻约30Ω
D．电压表，量程3V，内阻约3kΩ
E．直流电源E，电动势3V，内阻不计
F．开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| U（V） | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
| I（Ma） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
（1）为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB，已知无磁场时阻值R0=150Ω．现将磁敏电阻置入待测磁场中，在室温下用伏安法测得其两端的电压和通过的电流数据如下表：
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
| U（V） | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.78 | 2.71 |
| I（mA） | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
（2）请用下列器材设计一个电路：将一小量程的电流表G改装成一能测量磁感应强度的仪表，要求设计简单，操作方便．（环境温度一直处在室温下）
A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150Ω
B．电流表G，量程Ig=2mA，内阻约50Ω
C．滑动变阻器R，全电阻约1500Ω
D．直流电源E，电动势E=3V，内阻约为1Ω
E．开关S，导线若干
①在图2中的虚线框内完成实验电路图；
②改装后，电流表表盘上电流刻度要转换成磁感应强度B．
若2.0mA处标0T，那么1.0mA处标
| A、闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，伏特表的示数增大 | B、闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数减小 | C、闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，流过ap段的电流可能减小 | D、闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，电源的输出功率可能增大 |