摘要：25． G和Si元素在化学中占有极其重要的地位. (1)写出Si的基态原子核外电子排布式 . 从电负性角度分析.C.Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为 . (2)SiC的晶体结构与晶体硅的相似.其中C原子的杂化方式为 .微粒间存在的作用力是 . (3)氧化物MO的电子总数与SiC的相等.则M为 .MO是优良的耐高温材料.其晶体结构与NaCl晶体相似.MO的熔点比CaO的高.其原因是 . (4)C.Si为同一主族的元素.CO2和SiO2化学式相似.但结构和性质有很大不同.CO2中C与O原子间形成σ键和π键.SiO:中Si与O原子间不形成上述π健.从原子半径大小的角度分析.为何C.O原子间能形成.而Si.O原子间不能形成上述π健 . 答案:(1)1s22s2sp63s23p2 O＞C＞Si(2)sp3 共价键(3)Mg Mg2+半径比Ca2+小.MgO的晶格能大(4)C的原子半径较小.C.O原子能充分接近.p-p轨道肩并肩重叠程度较大.形成较稳定的π键.而Si原子半径较大.Si.O原子间距离较大.p-p轨道肩并肩重叠程度较小.不能形成稳定的π键 解析:(1)C.Si和O的电负性大小顺序为:O＞C＞Si.(2)晶体硅中一个硅原子周围与4个硅原子相连.呈正四面体结构.所以杂化方式是sp3 .(3)SiC电子总数是20个.则氧化物为MgO,晶格能与所组成离子所带电荷成正比.与离子半径成反比.MgO与CaO的离子电荷数相同.Mg2+半径比Ca2+小.MgO晶格能大.熔点高.(4) Si的原子半径较大.Si.O原子间距离较大.p-p轨道肩并肩重叠程度较小.不能形成上述稳定的π键 [考点分析]物质结构与性质.原子结构.杂化方式综合考查

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