已知晶胞中微粒数的计算方法—切割法，我们可以用“切割法”来计算一   个晶胞中实际拥有的微粒数。切割法的根本原则是：晶胞任意位置的一个原子如被x个晶胞所共有，那么，每个晶胞对这个原子分得的份额就是______________。

[化学选修3-物质结构与性质]
已知A、B、C、D、E、F是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数依次增大．其中B、D、F原子最外电子层的P能级（轨道）上的电子处于半充满状态．通常情况下，A的某种氧化物分子为非极性分子，其晶胞中分子呈面心立方堆积．E的电负性在该周期中最大．C的单质是一种常见的半导体材料．回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E、F均用所对应的元素符号表示）
（1）写出基态F原子的核外电子排布式．
（2）A，B，C的第一电离能由大到小的顺序为．
（3）上述A的氧化物分子中心原子采取杂化，其晶胞中微粒间的作用力为．
（4）有下列三种物质：①B的氢化物②A的最高价氧化物③A和C形成的化合物，它们的沸点从高到低的顺序为．
（5）固体CrE₃?6H₂O溶于水可能有几种不同组成的配离子，将含0.2665g CrE₃?6H₂O  的溶液通过氢离子交换树脂（只交换配阳离子），交换出的氢离子恰好用0.1250mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和．已知配离子配位数为6，则该配离子是，配位原子是，该固体溶于水还可形成多种配阳离子，写出其中的两种．

有U、V、W、X、Y、Z、T七种前四周期元素，它们的原子序数依次增大，其相关信息如下表：

元素编号	相    关    信    息
U	其核外电子总数等于其电子层数
V	基态时，电子分布在三个能级上，且各能级中电子数均相等
W	其单质是空气的主要成分之一，且化学性质相当稳定
X	与W元素处于同一周期，且X的第一电离能小于W的第一电离能
Y	其单质是最强的氧化剂
Z	Z元素的二价阳离子与氩原子的电子层结构相同
T	是第四周期元素中未成对电子数最多的元素

请回答下列问题：
（1）T的基态原子的价电子排布式为．
（2）U、V两种元素可组成多种结构的分子．请写出符合下列条件的物质的结构简式：
若化合物V₈U₈中V元素均采取sp³杂化方式．
若化合物V₈U₈中V元素均采取sp²杂化方式．
（3）写出一种与V₂^2-互为等电子体的分子的化学式为．
（4）甲和乙分别是W、X元素对应的氢化物，甲和乙中均属于10电子分子，甲极易溶于乙中，原因是．
（5）ZY₂晶体的晶胞如图所示，Z²⁺位于晶胞的顶点和面心，则Z²⁺的配位数为（图中虚线和某些实线意义相同）．若该正方体的棱长为a cm，一个Z²⁺离子体积为b cm³，一个Y^-离子体积为c cm³，该晶胞中微粒的空间利用率为（用含a、b、c的字母表示）．

短周期元素E、F的离子F⁺与E^2-核外电子排布相同，B、D、E元素的原子序数依次递增，B原子的每个能级上电子数相等，BE₂和D₂E是等电子体、A是F所在周期非金属性最强的元素，G．E同主族且原子核外电子层数相差两层，
请回答以下问题：
（1）元素F周期表中的位置在；离子半径F⁺E^2-（填“＞”．“＜”或“=”）；
（2）AE^-₃中的中心原子的杂化类型，该离子的空间构型为；．
（3）D₂与B^2-₂是等电子体，写出化合物CaB₂的电子式；G原子基态价层电子排布式为；
（4）比较E、G组成的最低价氢化物（填化学式）：
①稳定的是；②还原性强的是；③沸点高的是．
（5）BE₂的分子构型为．其晶胞如图，该晶胞中微粒间的作用力为，一个BE₂分子周围最近的BE₂分子有个，若该晶体的密度是dg/cm³，则晶胞的边长为cm．

（2009?宿迁模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为．
（3）B元素的单质分子中有个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取杂化，其晶胞中微粒间的作用力为．
（5）EH₃分子的空间构型为，其沸点与BH₃相比（填“高”或“低”），原因是．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式．