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①则物质A是______（填化学式，下同），B是______；
②步骤④生成TiO(OH)2（即H2TiO3）的离子方程式是________________________。
（2）已知FeSO4·7H2O的溶解度曲线如下图所示，则步骤③采用的操作是________________________
①从下列供选用的装置中选择合适的装置制备TiCl4，按气流方向连结起来：
A →______→______→ F →______→______→ G
②下列仪器中盛放的药品分别是C__________；G___________
（4）一定条件下，将TiO2溶解并还原为Ti3+，再以KSCN作溶液作指示剂，用NH4Fe(SO4)2标准溶液滴定Ti3+至全部生成Ti4+。称取TiO2样品3.0g，消耗0.2mol/L NH4Fe(SO4)2溶液30mL，则TiO2的质量分数是
____________
（2）在氮化炉中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727．5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度：____________；体系中要通入适量的氢气是为了____________。
（3）X可能是____________（选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）。
（4）如何说明氮化硅产品已用水洗干净？____________。
（5）用硅粉作硅源、叠氮化钠（NaN3）作氮源，直接燃烧生成氮化硅（发生置换反应），该反应的化学方程式为：________________________。
(12分) 氮化硅硬度大、熔点高、不溶于酸（氢氟酸除外），是一种重要的结构陶瓷材料。一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种合成氮化硅的工艺主要流程如下：
（1）净化N2和H2时，铜屑的作用是： ；硅胶的作用是 。
（2）在氮化炉中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度： ；体系中要通入适量的氢气是为了 。
（3）X可能是 （选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）。
（4）用硅粉作硅源、叠氮化钠（NaN3）作氮源，直接燃烧生成氮化硅（发生置换反应），该反应的化学方程式为： 。
已知X，Y，Z，Q为短周期非金属元素，R是长周期元素，X原子的电子占据2个电子层且原子中成对电子数是未成对电子数的2倍；Y的基态原子有7种不同运动状态的电子；Z元素在地壳中含量最多；Q是电负性最大的元素；R+离子只有三个电子层且完全充满电子。
回答下列问题：（答题时，X、Y、Z、Q、R用所对应的元素符号表示）
（1）X元素为???????? ，X、Y、Z中第一电离能最大的是???????? 。
（2）已知Y2Q2分子存在如图所示的两种结构（球棍模型，短线不一定代表单键）：
该分子中Y原子的杂化方式是???????? 。
（3）X与Y元素可以形成一种超硬新材料，其晶体部分结构如图所示，有关该晶体的说法正确的是???? （填正确答案编号）。
A．该晶体属于分子晶体
B．此晶体的硬度比金刚石还大
C．晶体的化学式是X3Y4
D．晶体熔化时破坏共价键
（4）有一种AB型分子与Y单质分子互为等电子体，它是一种常用的还原剂，其化学式为????????????? 。
（5）R的基态原子的电子排布式为????????? ，R与Z形成的某离子晶体的晶胞结构如图，则该晶体的化学式为????????? ，该晶体的密度为a g·cm－3，则晶胞的体积是????????? cm3。
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(12分) 氮化硅硬度大、熔点高、不溶于酸（氢氟酸除外），是一种重要的结构陶瓷材料。一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种合成氮化硅的工艺主要流程如下：
（1）净化N2和H2时，铜屑的作用是： ；硅胶的作用是 。
（2）在氮化炉中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) △H=－727.5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度： ；体系中要通入适量的氢气是为了 。
（3）X可能是 （选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）。
（4）用硅粉作硅源、叠氮化钠（NaN3）作氮源，直接燃烧生成氮化硅（发生置换反应），该反应的化学方程式为： 。
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