摘要:,AgNO3溶液. (2)正. Ag++e- = Ag, Cu-2e- = Cu2+. .
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(2010?朝阳区一模)铜及其化合物在生产、生活中有广泛的应用.
(1)铜可采用如下方法制备:
火法炼铜:Cu2S+O2
2Cu+SO2
湿法炼铜:CuSO4+Fe═FeSO4+Cu
上述两种方法中,铜元素均被
(2)印刷电路板上使用的铜需要回收利用.
方法一:用FeCl3溶液浸泡印刷电路板制备CuCl2?2H2O,实验室模拟回收过程如下:

①证明步骤Ⅰ所加FeCl3溶液过量的方法是
②步骤2中所加的氧化剂最适宜的是
A.HNO3B.H2O2C.KMnO4
③步骤3的目的是使溶液的pH升高到4.2,此时Fe3+完全沉淀,可选用的“试剂1”是
④蒸发农缩CuCl2溶液时,要滴加浓盐酸,目的是
方法二:用H2O2和稀硫酸共同浸泡印刷电路板制备硫酸铜时,其热化学方程式是:
Cu(s)+H2O2(l)+H2SO4(nq)═CuSO4(aq)+2H2O(l)△H1=-320kJ/mol
又知:2H2O(l)═2H2O(l)+O2(g)△H2=-196kJ/mol
H2(g)+
O2(g)═H2O(l)△H3=-286kJ/mol
则反应Cu(s)+H2SO4(aq)═CuSO4(aq)+H2(g)的△H=
(3)欲实现反应Cu+H2SO2═CuSO4+H2,在你认为能实现该转化的装置中的括号内,标出电极材料(填“Cu”或“C”)

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(1)铜可采用如下方法制备:
火法炼铜:Cu2S+O2
| ||
湿法炼铜:CuSO4+Fe═FeSO4+Cu
上述两种方法中,铜元素均被
还原
还原
(填“氧化”或“还原”)成铜单质.(2)印刷电路板上使用的铜需要回收利用.
方法一:用FeCl3溶液浸泡印刷电路板制备CuCl2?2H2O,实验室模拟回收过程如下:
①证明步骤Ⅰ所加FeCl3溶液过量的方法是
取少量充分反应后的溶液于试管中,滴加KSCN溶液,若溶液变为红色,证明所加FeCl3溶液过量
取少量充分反应后的溶液于试管中,滴加KSCN溶液,若溶液变为红色,证明所加FeCl3溶液过量
.②步骤2中所加的氧化剂最适宜的是
B
B
.A.HNO3B.H2O2C.KMnO4
③步骤3的目的是使溶液的pH升高到4.2,此时Fe3+完全沉淀,可选用的“试剂1”是
CuO或Cu(OH)2
CuO或Cu(OH)2
.(写出一种即可)④蒸发农缩CuCl2溶液时,要滴加浓盐酸,目的是
CuCl2在溶液中可以发生水解反应,CuCl2+2H2O?Cu(OH)2+2HCl,滴加浓盐酸,可以抑制水解
CuCl2在溶液中可以发生水解反应,CuCl2+2H2O?Cu(OH)2+2HCl,滴加浓盐酸,可以抑制水解
(用化学方程式并结合简要的文字说明),再经冷却、结晶、过滤,得到CuCl2?2H2O.方法二:用H2O2和稀硫酸共同浸泡印刷电路板制备硫酸铜时,其热化学方程式是:
Cu(s)+H2O2(l)+H2SO4(nq)═CuSO4(aq)+2H2O(l)△H1=-320kJ/mol
又知:2H2O(l)═2H2O(l)+O2(g)△H2=-196kJ/mol
H2(g)+
| 1 |
| 2 |
则反应Cu(s)+H2SO4(aq)═CuSO4(aq)+H2(g)的△H=
+64kJ/mol
+64kJ/mol
.(3)欲实现反应Cu+H2SO2═CuSO4+H2,在你认为能实现该转化的装置中的括号内,标出电极材料(填“Cu”或“C”)
太阳能电池的发展已经进入了第三代.第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池.完成下列填空:
(1)亚铜离子(Cu+)基态时的电子排布式为
[Ar]3d10
[Ar]3d10
;(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则3种元素的第一电离能从大到小顺序为
Br>As>Se
Br>As>Se
(用元素符号表示),用原子结构观点加以解释As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大
As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大
;(3)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性(价电子数少于价层轨道数),其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物,如BF3能与NH3反应生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的杂化轨道类型为
sp3
sp3
,B与N之间形成配位
配位
键;(4)单晶硅的结构与金刚石结构相似,若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键,则得如图所示的金刚砂(SiC)结构;在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为
12
12
.(1)以MgCl2为原料用熔融盐电解法制备镁时,常加入NaCl、KCl或CaCl2等金属氯化物,其主要作用除了降低熔点之外还有
增大离子浓度,从而增大熔融盐的导电性
增大离子浓度,从而增大熔融盐的导电性
.(2)已知MgO的晶体结构属于NaCl型.某同学画出的MgO晶胞结构示意图如图所示,请改正图中错误:
⑧应为黑色
⑧应为黑色
.(3)用镁粉、碱金属盐及碱土金属盐等可以做成焰火.燃放时,焰火发出五颜六色的光,请用原子结构的知识解释发光的原因:
电子从较高能量的激发态跃迁到较低能量的激发态乃至基态时,将释放能量
电子从较高能量的激发态跃迁到较低能量的激发态乃至基态时,将释放能量
.(4)Mg是第三周期元素,该周期部分元素氟化物的熔点见下表:
| 氧化物 | NaF | MgF2 | SiF4 |
| 熔点/K | 1266 | 1534 | 183 |
离子晶体氟化物的熔点较高,分子晶体氟化物的熔点较低,离子晶体的熔点与离子半径成反比、与离子所带电荷成正比
离子晶体氟化物的熔点较高,分子晶体氟化物的熔点较低,离子晶体的熔点与离子半径成反比、与离子所带电荷成正比
.(5)人工模拟是当前研究的热点.有研究表明,化合物X可用于研究模拟酶,当其结合
①a中连接相邻含N杂环的碳碳键可以旋转,说明该碳碳键具有
σ
σ
键的特性.②微粒间的相互作用包括化学键和分子间相互作用,比较a和b中微粒间相互作用力的差异
a中存在氢键、b中存在配位键
a中存在氢键、b中存在配位键
.(2013?烟台一模)某工厂的电镀污泥中含有铜、铁等金属化合物.为实现资源的回收利用并有效防止环境污染,设计如下工艺流程:
(1)酸浸后加入H2O2的目的是
(2)煮沸CuSO4溶液的原因是
(3)CuCl产品中CuCl的质量分数大于96.50%为国家合格标准.称取所制备的CuCl样品0.2500g置于一定量的0.5mol?L-1FeCl3溶液中,待样品完全溶解后,加水20mL,用0.1000mol?L-1的Ce(SO4)2溶液滴定,到达终点时消耗Ce(SO4)2溶液24.60mL.有关的化学反应为:Fe3++CuCl=Fe2++Cu2++Cl-,Ce4++Fe2+=Fe3++Ce3+.通过计算说明该CuCl样品
(4)25℃时,KSP[Fe(OH)3]=4.0×10-38.Fe3+发生水解反应Fe3++3H2O?Fe(OH)3+3H+,该反应的平衡常数为
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| 沉淀物 | Fe(OH)3 | Fe(OH)2 | Cu(OH)2 |
| 开始沉淀的PH | 2.3 | 7.6 | 4.4 |
| 完全沉淀的PH | 3.2 | 9.7 | 6.4 |
将Fe2+氧化成Fe3+.便于调整PH值与Cu2+分离
将Fe2+氧化成Fe3+.便于调整PH值与Cu2+分离
.调pH步骤中加入的试剂最好是CuO、或Cu(OH)2、或CuCO3
CuO、或Cu(OH)2、或CuCO3
(填化学式).实验室进行过滤操作所用到的玻璃仪器有漏斗、烧杯、玻璃棒
漏斗、烧杯、玻璃棒
.(2)煮沸CuSO4溶液的原因是
除净溶液中的H2O2,避免影响下一步CuCl的生成
除净溶液中的H2O2,避免影响下一步CuCl的生成
.向CuSO4溶液中加入一定量的NaCl、Na2SO3,可以生成白色的CuCl沉淀,写出该反应的化学方程式2CuSO4+2NaCl+Na2SO3+H2O=2CuCl↓+2Na2SO4+H2SO4
2CuSO4+2NaCl+Na2SO3+H2O=2CuCl↓+2Na2SO4+H2SO4
.(3)CuCl产品中CuCl的质量分数大于96.50%为国家合格标准.称取所制备的CuCl样品0.2500g置于一定量的0.5mol?L-1FeCl3溶液中,待样品完全溶解后,加水20mL,用0.1000mol?L-1的Ce(SO4)2溶液滴定,到达终点时消耗Ce(SO4)2溶液24.60mL.有关的化学反应为:Fe3++CuCl=Fe2++Cu2++Cl-,Ce4++Fe2+=Fe3++Ce3+.通过计算说明该CuCl样品
符合
符合
(填“符合”或“不符合”)国家标准.(4)25℃时,KSP[Fe(OH)3]=4.0×10-38.Fe3+发生水解反应Fe3++3H2O?Fe(OH)3+3H+,该反应的平衡常数为
2.5×10-5
2.5×10-5
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