摘要：工业上用“三氯氢硅还原法 提纯粗硅的工艺流程如下图所示: ⑴三氯氢硅的制备原理:SiSiHCl3(g)+H2(g) △H＝-210 kJ/mol 工业上为了加快SiHCl3生成速率而又不降低硅的转化率.可以采用的方法是 . ⑵除上述反应外.还伴随着副反应:SiSiCl4(g)+2H2(g) △H＝-241 kJ/mol.已知:SiHCl3.SiCl4常温下均为液体. ①工业上分离SiHCl3.SiCl4的操作方法为 . ②反应SiHCl3 SiCl4(g)+H2(g)的△H＝ kJ/mol. ⑶该生产工艺中可以循环使用的物质是 . ★14.将W g木炭与同时装入一个装有压力表体积不变的密闭容器中.压力表所示压强为.高温下容器中木炭与均完全反应后恢复到原温度.压力表的示数为.试求:(1)当W取值发生变化时.反应后压强P也发生变化.P的最大值(以表示)是 . (2)以W表示满足题设条件的a的取值范围 . 感悟高考:1.C.2.A 例1:C 例2:B 例3:[0.1] 例4:C 例5:D 课时作业:1-10 :BC.D.A .AC.B.A .AC.AD.C .B
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工业上用“三氯氢硅还原法”提纯粗硅，工艺流程如图所示：
(1)工业生产粗硅的主要原理是(用化学方程式表示)：________．
(2)若在制粗硅的过程中同时生成了碳化硅，且二者的物质的量之比为1∶1，则参加反应的C和SiO2的质量之比为________．
(3)除上述反应外，还伴随着副反应：Si＋4HCl
SiCl4＋2H2．已知：SiHCl3、SiCl4在常温下均为液体，且SiCl4的沸点比SiHCl3的高．工业上分离SiHCl3、SiCl4的操作方法为________．
(4)该生产工艺中可以循环使用的物质是________________．
）工业上用“三氯氢硅还原法”提纯粗硅的工艺流程如下图所示：
⑴三氯氢硅的制备原理：Si(s)＋3HCl(g)
SiHCl3(g)＋H2(g) △H＝－210 kJ/mol
工业上为了加快SiHCl3生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是 ▲ 。
⑵除上述反应外，还伴随着副反应：Si(s)＋4HCl(g)
SiCl4(g)＋2H2(g) △H＝－241 kJ/mol。已知：SiHCl3、SiCl4常温下均为液体。
①工业上分离SiHCl3、SiCl4的操作方法为 ▲ 。
②反应SiHCl3(g)＋HCl(g) 
SiCl4(g)＋H2(g)的△H＝ ▲ kJ/mol。
⑶该生产工艺中可以循环使用的物质是 ▲ 。
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（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是
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（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是
升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度；
升高温度或增大氢气与SiHCl3的物质的量之比或增大氢气浓度；
．（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为
蒸馏
蒸馏
．②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=
-31
-31
kJ/mol．（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是
氯化氢、氢气
氯化氢、氢气
（填物质名称）．工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：
（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是______．
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为______．
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=______kJ/mol．
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是______（填物质名称）．
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工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：
（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是______．
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为______．
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=______kJ/mol．
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是______（填物质名称）．
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（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）?SiHCl3（g）+H2（g）△H=-210kJ/mol
工业上为了加快SiHCl的生成速率而又不降低硅的转化率，可以采用的方法是______．
（2）除上述反应外，还伴随着副反应：Si（s）+4HCl（g）?SiCl4（g）+2H2（g）△H=-241kJ/mol．已知：SiHCl、SiCl4常温下均为液体．
①工业上分离SiHCl、SiCl4的操作方法为______．
②反应SiHCl3（g）+HCl（g）?SiCl4（g）+H2（g）的△H=______kJ/mol．
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是______（填物质名称）．