摘要：6．如图甲所示.ab.cd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示.而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0-t内的变化情况的说法中.有可能正确的是 A．一直增大 B．一直减小 C．先减小.后增大 D．先增大.后减小
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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁场的磁感应强度变化如图乙所示，PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间的摩擦力Ff在0到t1（s）内的变化情况的说法中，可能正确的是（ ）
A.Ff一直增大 B.Ff一直减小
C.Ff先减小后增大 D.Ff先增大后减小
如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成
角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
A.F先减小后增大，且在t1时刻为零
B.F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin
C.F先增大后减小，且在时刻为最大值
D.F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin
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如图甲所示，用裸导体做成U形框架abcd、ad与bc相距L=0.2m，其平面与水平面成θ=30°角．质量为m=1kg的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R=1Ω．整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B随时间t的变化情况如图乙所示（设图甲中B的方向为正方向）．t=0时，B0=10T、导体棒PQ与cd距离x0=0.5m．若PQ始终静止，关于PQ与框架间的摩擦力大小在0～t1=0.2s时间内的变化情况，g取10m/s2，下面判断正确的是（ ）
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| A．一直增大 | B．一直减小 |
| C．先减小后增大 | D．先增大后减小 |
角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin
