摘要:12.常温下.铁与下列酸溶液作用产生氢气的是( ) A.浓硫酸 B.稀硫酸 C.浓硝酸 D.稀硝酸

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(共14分)
(1)下列操作错误的是_________(填序号)
A. 用蒸发皿进行加热蒸发实验时,不垫石棉网。
B. 浓硫酸不慎沾到皮肤上,迅速用NaOH溶液清洗,再用水洗。
C. 蒸馏时,将温度计水银球插入液面以下。
D. 闻气体气味时,用手在容器口轻轻扇动,使少量气体飘入鼻孔中。
E. 使用分液漏斗和容量瓶时,首先检查是否漏液。
(2) 最近媒体报道了多起卫生间清洗时,因混合使用“洁厕灵”(主要成分是盐酸)与“84
消毒液”(有效成分是NaClO)发生氯气中毒的事件。根据你所学的氧化还原反应知识,用
离子方程式表示产生氯气的原因:                                            
(3) 已知向偏铝酸钠溶液中加入稀盐酸有氢氧化铝生成。某同学根据所学知识,提出不能使用该方法制取A1(OH)3,理由为                               。(用离子方程式表示)请你另举出一种用氯化铝溶液制取A1(OH)3的合理方法,该反应的离子方程式为                          
(4)据有关报道。目前已能冶炼出纯度高达99.9999%的铁,下列关于纯铁的叙述中,正确的是           (填字母)。    
A.硬度比钢小,熔点比钢高              B.不能与盐酸反应
C.与不锈钢成分相同                         D.在冷的浓硫酸中钝化
(5)向沸水中逐滴滴加饱和FeCl3溶液,至液体呈透明的红褐色时停止加热,所得分散系的分散质大小范围是                
(6)合成氨工业生产中常用铁触媒做催化剂,其主要成分是FeO、Fe2O3。已知某铁触媒中,铁、氧离子的物质的量之比为4∶5,其中Fe2+与Fe3+物质的量之比为                。

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(1)下列操作错误的是_________(填序号)

A. 用蒸发皿进行加热蒸发实验时,不垫石棉网。

B. 浓硫酸不慎沾到皮肤上,迅速用NaOH溶液清洗,再用水洗。

C. 蒸馏时,将温度计水银球插入液面以下。

D. 闻气体气味时,用手在容器口轻轻扇动,使少量气体飘入鼻孔中。

E. 使用分液漏斗和容量瓶时,首先检查是否漏液。

(2) 最近媒体报道了多起卫生间清洗时,因混合使用“洁厕灵”(主要成分是盐酸)与“84

消毒液”(有效成分是NaClO)发生氯气中毒的事件。根据你所学的氧化还原反应知识,用

离子方程式表示产生氯气的原因:                                            

(3) 已知向偏铝酸钠溶液中加入稀盐酸有氢氧化铝生成。某同学根据所学知识,提出不能使用该方法制取A1(OH)3,理由为                                。(用离子方程式表示)请你另举出一种用氯化铝溶液制取A1(OH)3的合理方法,该反应的离子方程式为                          

(4)据有关报道。目前已能冶炼出纯度高达99.9999%的铁,下列关于纯铁的叙述中,正确的是            (填字母)。    

A.硬度比钢小,熔点比钢高              B.不能与盐酸反应

C.与不锈钢成分相同                                D.在冷的浓硫酸中钝化

(5)向沸水中逐滴滴加饱和FeCl3溶液,至液体呈透明的红褐色时停止加热,所得分散系的分散质大小范围是                

(6)合成氨工业生产中常用铁触媒做催化剂,其主要成分是FeO、Fe2O3。已知某铁触媒中,铁、氧离子的物质的量之比为4∶5,其中Fe2+与Fe3+物质的量之比为                 。

 

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单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500 ℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息如下:

a.四氯化硅遇水极易水解;

b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;

c.有关物质的物理常数见下表:

物质

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl下标5

沸点/℃

57.7

12.8

315

熔点/℃

-70.0

-107.2

升华温度/℃

180

300

162

请回答下列问题:

(1)写出装置A中发生反应的离子方程式____________。

(2)装置A中g管的作用是____________;装置C中的试剂是;装置E中的h瓶需要冷却的理由是____________________________________。

(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是____________(填写元素符号)。

(4)为了分析残留物中铁元素的含量,先将残留物预处理,使铁元素还原成Fe2+,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定,反应的离子方程式是:5Fe2++MnO-4+8H+====5Fe3++Mn2++4H2O

①滴定前是否要滴加指示剂?________(填“是”或“否”),请说明理由__________________。

②某同学称取5.000 g残留物,经预处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL试样溶液,用1.000×10-2 mol·L-1 KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时,消耗标准溶液20.00 mL,则残留物中铁元素的质量分数是________________。

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单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息如下:①四氯化硅遇水极易水解;

②硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;

③有关物质的物理常数见下表:

 

物质

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸点/℃

57.7

12.8

315

熔点/℃

-70.0

-107.2

升华温度/℃

180

300

162

 

请回答下列问题:

(1)写出装置A中发生反应的离子方程式_____________________________________。

(2)装置A中g管的作用是______________;装置C中的试剂是____________;

装置E中的h瓶需要冷却的理由是__________________________________。

(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的元素是_____________(填写元素符号)。

(4)为了分析残留物中铁元素的含量,先将残留物预处理,使铁元素还原成Fe2,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定,反应的离子方程式是:

  5Fe2+MnO4+8H====5Fe3+Mn2+4H2O

①滴定前是否要滴加指示剂?___(填“是”或“否”),请说明理由_________________

②某同学称取5.000g残留物后,经预处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL试样溶液,用1.000×102 mol/L KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时,消耗标准溶液20.00 mL,则残留物中铁元素的质量分数是_______________。

 

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