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（1）用元素符号表示B、C、D三种元素的第一电离能由低到高的顺序 。
（2）下列说法错误的是 。
A．二氧化硅的相对分子质量比二氧化碳大，所以沸点：SiO2＞CO2
B．电负性顺序：C＜N＜O＜F
C．N2与CO为等电子体，化学性质相似
D．由于水分子间存在氢键，所以稳定性：H2O＞H2S
（3）E元素的+2价氧化物的熔点比+3价氧化物 （高或低），原因是 。
（4）B单质的一种同素异形体的晶胞如图甲所示，若晶体的密度为ρg/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体中最近的两个原子之间的距离为 cm。
（5）F离子是人体内多种酶的辅因子，人工模拟酶是当前研究的热点。
① F原子的外围电子排布式为________。向F的硫酸盐溶液中通入过量C与A形成的气体N，可生成[F(N)4]2+，该离子的结构式为 。
②某化合物与F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合价为＋1)结合形成图乙所示的离子：该离子中碳原子的杂化方式有 。
图甲 图乙
（2013?青岛一模）[化学-物质结构与性质]太阳能电池的发展已经进入了第三代．第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池．完成下列填空：
（1）亚铜离子（Cu+）基态时的电子排布式为
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为
（3）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性（价电子数少于价层轨道数），其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物，如BF3能与NH3反应生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的杂化轨道类型为
（4）单晶硅的结构与金刚石结构相似，若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键，则得如图所示的金刚砂（SiC）结构；在SiC中，每个C原子周围最近的C原子数目为
现有A、B、C、D、E、F原子序数依次增大的六种元素，它们位于元素周期表的前四周期。B元素含有3个能级，且每个能级所含的电子数相同；D的原子核外有8个运动状态不同的电子；E元素与F元素处于同一周期相邻的族，它们的原子序数相差3，且E元素的基态原子有4个未成对电子。请回答下列问题：
（1）用元素符号表示B、C、D三种元素的第一电离能由低到高的顺序?????? 。
（2）下列说法错误的是??????? 。
A．二氧化硅的相对分子质量比二氧化碳大，所以沸点：SiO2＞CO2
B．电负性顺序：C＜N＜O＜F
C．N2与CO为等电子体，化学性质相似
D．由于水分子间存在氢键，所以稳定性：H2O＞H2S
（3）E元素的+2价氧化物的熔点比+3价氧化物???????? （高或低），
原因是?????????? 。
（4）B单质的一种同素异形体的晶胞如图所示，若晶体的密度为ρg/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体中最近的两个原子之间的距离为??????? cm。
（5）F离子是人体内多种酶的辅因子，人工模拟酶是当前研究的热点。
①F原子的外围电子排布式为________ __。向F的硫酸盐溶液中通入过量C与A形成的气体N，可生成[F(N)4]2+，该离子的结构式为??????? (用元素符号表示)。
②某化合物与F(Ⅰ)(Ⅰ表示化合价为＋1)结合形成图1所示的离子：该离子中碳原子的杂化方式有?????? 。
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现有A、B、C、D、E、F原子序数依次增大的六种元素，它们位于元素周期表的前四周期。B元素含有3个能级，且每个能级所含的电子数相同；D的原子核外有8个运动状态不同的电子；E元素与F元素处于同一周期相邻的族，它们的原子序数相差3，且E元素的基态原子有4个未成对电子。请回答下列问题：
（1）用元素符号表示B、C、D三种元素的第一电离能由低到高的顺序?????? 。
（2）下列说法错误的是??????? 。
A．二氧化硅的相对分子质量比二氧化碳大，所以沸点：SiO2＞CO2
B．电负性顺序：C＜N＜O＜F
C．N2与CO为等电子体，化学性质相似
D．由于水分子间存在氢键，所以稳定性：H2O＞H2S
（3）E元素的+2价氧化物的熔点比+3价氧化物???????? （高或低），原因是?????????? 。
（4）B单质的一种同素异形体的晶胞如图所示，若晶体的密度为ρg/cm3，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体中最近的两个原子之间的距离为??????? cm。
（5）F离子是人体内多种酶的辅因子，人工模拟酶是当前研究的热点。
①F原子的外围电子排布式为____ 。向F的硫酸盐溶液中通入过量C与A形成的气体N，可生成【F（N）4】2+，该离子的结构式为??????? （用元素符号表示）。
②某化合物与F（Ⅰ）（Ⅰ表示化合价为＋1）结合形成图1所示的离子：该离子中碳原子的杂化方式有?????? 。
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