摘要： W.X.Y.Z是四种常见的短周期元素.其原子半径随原子序数变化如下图所示.已知W的一种核素的质量数为18.中子数为10,X和Ne原子的核外电子数相差1,Y的单质是一种常见的半导体材料,Z的电负性在同周期主族元素中最大. (1)X位于元素周期表中第 周期第 族,W的基态原子核外有 个未成对电子. (2)X的单质子和Y的单质相比.熔点较高的是 ,Z的气态氢化物和溴化氢相比.较稳定的是 . (3)Y与Z形成的化合物和足量水反应.生成一种弱酸和一种强酸.该反应的化学方程式是 . (4)在25ºC.101 kPa下.已知Y的气态化物在氧气中完全燃烧后恢复至原状态.平均每转移1mol 电子放热190.0kJ.该反应的热化学方程式是 . 解析:因为W的一种核素的质量数为18.中子数为10.说明W的质子数为8.即为氧元素,Y的单质是一种常见的半导体材料.而在短周期元素中只有元素硅符合.即Y是Si,所以由图像中原子半径的大小顺序可知X.Y.Z应该属于第三周期元素.在第三周期主族元素中电负性最大的Cl元素.所以Z是Cl,又因为X和Ne原子的核外电子数相差1.且X位于第三周期.所以X是Na. (1)O的原子电子排布式是1S22S22P4.所以O的基态原子核外有2个未成对电子, (2)单质钠和硅分别属于金属晶体和原子晶体.故单质硅的熔点高,Cl的非金属性强于Br的.所以HCl比HBr稳定, (3)Y与Z形成的化合物是SiCl4.SiCl4可以和水发生水解反应盐酸和硅酸.反应的化学方程式是:SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl, (4)Y的气态化物是SiH4.燃烧后生成二氧化硅.其中Si的化合价由-4价升高到+4价.转移8个电子.所以1mol SiH4共放出8×190.0kJ＝1520.0KJ能量.因此反应的热化学方程式是:SiH4(g)+2O2(g)＝SiO2(s)+2H2O △H=-1520.0KJ/mol 答案:Si HCl (3)SiCl4+3H2O=H2SiO3↓+4HCl (4)SiH4(g)+2O2(g)＝SiO2(s)+2H2O(l) △H=-1520.0KJ/mol

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