摘要：如图所示.上下不等宽的平行导轨.EF和GH部分导轨间的距离为L.IJ和MN部分的导轨间距为2L.导轨竖直放置.整个装置处于水平向里的匀强磁场中.金属杆ab和cd的质量均为m.都可在导轨上无摩擦地滑动.且与导轨接触良好.现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F.使其匀速向上运动.同时使cd处于静止状态.则F的大小为 A．mg B．2mg C．5mg/2 D．3mg/2
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如图所示，上下不等宽的平行金属导轨的EF和GH两部分导轨间的距离为2L，IJ和MN两部分导轨间的距离为L，导轨竖直放置，整个装置处于水平向里的匀强磁场中，金属杆ab和cd的质量均为m，都可在导轨上无摩擦地滑动，且与导轨接触良好，现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F，使其匀速向上运动，此时cd处于静止状态，则F的大小为（ ）
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如图所示，上下不等宽的平行金属导轨的EF和GH两部分导轨间的距离为2L，I J和MN两部分导轨间的距离为L，导轨竖直放置，整个装置处于水平向里的匀强磁场中，金属杆ab和cd的质量均为m，都可在导轨上无摩擦地滑动，且与导轨接触良好，现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F，使其匀速向上运动，此时cd处于静止状态，则F的大小为（ ）
A．2mg B．3mg C．4mg D．mg
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如图所示，上下不等宽的平行金属导轨的EF和GH两部分导轨间的距离为2L，I J和MN两部分导轨间的距离为L，导轨竖直放置，整个装置处于水平向里的匀强磁场中，金属杆ab和cd的质量均为m，都可在导轨上无摩擦地滑动，且与导轨接触良好，现对金属杆ab施加一个竖直向上的作用力F，使其匀速向上运动，此时cd处于静止状态，则F的大小为（ ）
A．2mg B．3mg C．4mg D．mg
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