摘要：11．如图(甲)所示中bacd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中.磁感应强度B的变化情况如图(乙)所示.PQ始终静止.则0~ts内(t=0时刻.安培力大于mgsinθ).PQ受到的摩擦力Ff的分析情况正确的是 A．Ff先减小后增大.且在t1时刻为零 B．Ff先减小后增大.且在t1时刻Ff=mgsinθ C．Ff先增大后减小.且在t1时刻为最大值 D．Ff先增大后减小.且在t1时刻Ff=mgsinθ

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