如图所示，一厚为d、宽为b、长为L的载流导体薄板放在磁感应强度为B的磁场中，电流强度为I，薄板中单位体积内自由电荷的数目为n，自由电荷的电量为-e，如果磁场与薄板前后表面垂直，则板的上下两表面AA'间会出现电势差，这一现象叫霍尔效应，AA′间的电势差叫霍尔电势差UH（或霍尔电压），
如图所示，磁流体发电机的极板相距d，极板间有垂直于纸面向里的匀强磁场B．外电路中可变负载电阻R用导线与极板相连．电离气体以速率V，沿极板射入，极板间电离气体等效内阻r，试求此发电机的输出功率为多大？
如图为电磁流量计的示意图．半径为R的非磁性材料制成的圆形导管内，有导电液体在流动，磁感应强度为B的匀强磁场垂直于导电液体流动方向而穿过一段圆形管道．若测得管壁上a、b两点间的电势差为U，则管中导电液体的流速为v=
磁流体发电是一项新兴技术，它可以把物体的内能直接转化为电能，如图所示，平行金属板A、B之间相距为d，板间的磁场按匀强磁场处理，磁感应强度为B，等离子体以速度v沿垂直于B的方向射入磁场，金属板A、B是边长为a的正方形，等离子体的电阻率为ρ，外接电阻R．求：
在一个很小的巨型半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，元件在沿磁场方向的厚度为d，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压．
如图所示为实验用磁流体发电机原理图，两极间距d=20cm，磁场磁感应强度B=0.5T．若接入额定功率P=100W的灯泡，恰好正常发光，且灯泡L正常发光时的电阻R=100Ω，不计发电机内阻．求：
如图甲所示，将导体置于磁场中，沿垂直磁场方向通入电流，在导体中垂直于电流和磁场的方向上会产生一个电势差UH，这种现象叫霍尔效应．导体中单位体积内的自由电荷数目为n，自由电荷所带电荷量为q，把k=
如图所示是电磁流量计的示意图，圆管由非磁性材料制成，空间有匀强磁场，当管中的导电液体流过磁场区域时，测出管壁上MN两点的电势差大小U，就可以知道管中的液体流量Q单位时间内流过管道横截面的液体体积，已知管的直径为d，磁感应强度为B，则 关于Q的表达式正确的是
霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=k
，式中k为霍尔系数，由半导体材料的性质决定，d为薄片的厚度．利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B．
（1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向 （填“a”或“b”），S2掷向 （填“c”或“d”）．
（2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线，利用图线求出待测磁场B为 T．
（3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
（A）选用厚度较薄的半导体薄片
（B）选用厚度较厚的半导体薄
（C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
（D）增大电流强度I．
0 52479 52487 52493 52497 52503 52505 52509 52515 52517 52523 52529 52533 52535 52539 52545 52547 52553 52557 52559 52563 52565 52569 52571 52573 52574 52575 52577 52578 52579 52581 52583 52587 52589 52593 52595 52599 52605 52607 52613 52617 52619 52623 52629 52635 52637 52643 52647 52649 52655 52659 52665 52673 176998
| IB |
| d |
（1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向
（2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
| I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
（3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
（A）选用厚度较薄的半导体薄片
（B）选用厚度较厚的半导体薄
（C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
（D）增大电流强度I．