在桌面上有一倒立的玻璃圆锥.其顶点恰好与桌面接触.圆锥的轴与桌面垂直.过轴线的截面为等边三角形.如图所示.有一半径为r的圆柱形平行光束垂直入射到圆锥的地面上.光束的中心轴与圆锥的轴重合.已知玻璃的折射——青夏教育精英家教网——

在桌面上有一倒立的玻璃圆锥，其顶点恰好与桌面接触，圆锥的轴（图中虚线）与桌面垂直，过轴线的截面为等边三角形，如图所示。有一半径为r的圆柱形平行光束垂直入射到圆锥的地面上，光束的中心轴与圆锥的轴重合。已知玻璃的折射率为1.5，则光束在桌面上形成的光斑半径为（）

A、r B、1.5r C、2r D、2.5r

如图所示，在倾角为30⁰的足够长的斜面上有一质量为m的物体，它受到沿斜面方向的力F的作用。力F可按图（a）、（b）（c）、（d）所示的四种方式随时间变化（图中纵坐标是F与mg的比值，力沿斜面向上为正）。

已知此物体在t=0时速度为零，若用v₁、v₂ 、v₃ 、v₄分别表示上述四种受力情况下物体在3秒末的速率，则这四个速率中最大的是（）

A、v₁B、v₂C、v₃D、v₄

用大量具有一定能力的电子轰击大量处于基态的氢原子，观测到了一定数目的光谱线。调高电子的能力在此进行观测，发现光谱线的数目比原来增加了5条。用△n表示两侧观测中最高激发态的量子数n之差，E表示调高后电子的能量。根据氢原子的能级图可以判断，△n和E的可能值为（）

A、△n=1，13.22 eV <E<13.32 eV

B、△n=2，13.22 eV <E<13.32 eV

C、△n=1，12.75 eV <E<13.06 eV

D、△n=2，12.75 eV <E<13.06 Ev

a、b、c、d是匀强电场中的四个点，它们正好是一个矩形的四个顶点。电场线与矩形所在的平面平行。已知a点的电势是20V，b点的电势是24V，d点的电势是4V，如图。由此可知，c点的电势为（）

A、4V B、8V C、12V D、24V

如图所示，LOO’L’为一折线，它所形成的两个角∠LOO’和∠OO’L‘均为45⁰。折线的右边有一匀强磁场，其方向垂直OO’的方向以速度v做匀速直线运动，在t=0时刻恰好位于图中所示的位置。以逆时针方向为导线框中电流的正方向，在下面四幅图中能够正确表示电流―时间（I―t）关系的是（时间以l/v为单位）（）

两种单色光a和b，a光照射某金属时有光电子逸出，b光照射该金属时没有光电子逸出，则

A．在真空中，a光的传播速度较大 B．在水中，a光的波长较小

C．在真空中，b光光子的能量较大 D．在水中，b光的折射率较小

图甲为一列简谐横波在某一时刻的波形图，图乙为质点P以此时刻为计时起点的振动图象。从该时刻起

A．经过0．35s时，质点Q距平衡位置的距离小于质点P距平衡位置的距离

B．经过0．25s时，质点Q的加速度大于质点P的加速度

C．经过0．15s，波沿x轴的正方向传播了3m

D．经过0．1s时，质点Q的运动方向沿y轴正方向

如图所示，长方形abcd长ad=0．6m，宽ab=0．3m，0、e分别是ad、bc的中点，以ad为直径的半圆内有垂直纸面向里的匀强磁场(边界上无磁场)，磁感应强度B=0．25T。一群不计重力、质量m=3×10^―⁷kg、电荷量q=+2×10^―³C的带电粒子以速度=5×10²m／s沿垂直ad方向且垂直于磁场射人磁场区域

A．从Od边射入的粒子，出射点全部分布在Oa边

B．从aO边射入的粒子，出射点全部分布在Ob边

C．从Od边射入的粒子，出射点分布在Oa边和ab边

D．从aO边射入的粒子，出射点分布在ab边和be边

甲同学设计了如图所示的电路测电源电动势E及电阻R₁和R₂的阻值。实验器材有：待测电源E(不计内阻)，待测电阻R₁，待测电阻R₂，电压表V(量程为1．5V，内阻很大)，电阻箱R(0～99．99Ω)；单刀单掷开关S₁，单刀双掷开关S₂，导线若干。

①先测电阻R₁的阻值。请将甲同学的操作补充完整：闭合S₁，将S₂切换到a，调节电阻箱，读出其示数r和对应的电压表示数U₁，保持电阻箱示数不变，，读出电压表的示数U₂。则电阻R₁的表达式为R₁= 。

②甲同学已经测得电阻R₁=4．8Ω，继续测电源电动势E和电阻R₂的阻值。该同学的做法是：闭合S₁，将S₂切换到a，多次调节电阻箱，读出多组电阻箱示数R和对应的电压表示数U，由测得的数据，绘出了如图所示的图线，则电源电动势E= V，电阻R₂= Ω。

③利用甲同学设计的电路和测得的电阻R1，乙同学测电源电动势E和电阻R₂的阻值的做法是：闭合S₁，将S₂切换到b，多次调节电阻箱，读出多组电阻箱示数R和对应的电压表示数U，由测得的数据，绘出了相应的图线，根据图线得到电源电动势E和电阻R₂。这种做法与甲同学的做法比较，由于电压表测得的数据范围 (选填“较大”、“较小”或“相同”)，所以同学的做法更恰当些。

如图所示，P、Q为水平面内平行放置的光滑金属长直导轨，间距为L₁，处在竖直向下、磁感应强度大小为B₁的匀强磁场中。一导体杆ef垂直于P、Q放在导轨上，在外力作用下向左做匀速直线运动。质量为m、每边电阻均为r、边长为L₂的正方形金属框abcd置于竖直平面内，两顶点a、b通过细导线与导轨相连，磁感应强度大小为B₂的匀强磁场垂直金属框向里，金属框恰好处于静止状态。不计其余电阻和细导线对a、b点的作用力。

(1)通过ab边的电流I_ab是多大?

(2)导体杆ef的运动速度是多大?

0 28690 28698 28704 28708 28714 28716 28720 28726 28728 28734 28740 28744 28746 28750 28756 28758 28764 28768 28770 28774 28776 28780 28782 28784 28785 28786 28788 28789 28790 28792 28794 28798 28800 28804 28806 28810 28816 28818 28824 28828 28830 28834 28840 28846 28848 28854 28858 28860 28866 28870 28876 28884 176998