如图.一个U形导体框架.其宽度L=1m.框架所在平面与水平面的夹角α=30°.其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直.匀强磁场的磁感强度B＝0.2T.今有一条形导体ab.其质量为m＝0.5kg.有效电阻R=0.1 Ω.跨接在U形框架上.并且能无摩擦地滑动.(g=10m/s2)(1)由静止释放导体.导体ab下滑的最大速度vm= m/s, (2)在最大速� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

题目内容

如图，一个U形导体框架，其宽度L=1m，框架所在平面与水平面的夹角α=30°，其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1 Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，（g=10m/s²）
（1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度v_m=____________ m/s；
（2）在最大速度v_m，在ab上释放的电功率P=____________W。

（1）6.25
（2）12.5

练习册系列答案

BEST学习丛书长沙中考数理化冲A特训系列答案

新疆中考模拟试卷系列答案

备战中考8加2系列答案

超能学典江苏13大市名牌小学毕业升学真卷精编系列答案

68所名校图书小升初押题卷名校密题系列答案

相关题目

如图所示，在一匀强磁场中有一U形导体框bacd，线框处于水平面内，磁场与线框平面垂直，R为一电阻，ef为垂直于ab的一根导体杆，它可以在ab、cd上无摩擦地滑动，杆ef及线框中导体的电阻都可不计．开始时，给ef一个向右的初速度，则（　　）

如图11－9所示，一个U形导体框架，其宽度L=1m，框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，求:

　　（1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度v_m；

　　（2）在最大速度v_m时，在ab上释放的电功率。（g=10m/s²）。

（14分）如图所示，一个U形导体框架，其宽度L=1m，框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，求:
（1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度v_m；
（2）在最大速度v_m时，在ab上释放的电功率。（g=10m/s²）。

如图所示，在一匀强磁场中有一U形导体框bacd，线框处于水平面内，磁场与线框平面垂直，R为一电阻，ef为垂直于ab的一根导体杆，它可以在ab、cd上无摩擦地滑动，杆ef及线框中导体的电阻都可不计．开始时，给ef一个向右的初速度，则(　　)

试题分类