题目内容
如图是电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域，现在把R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别为P1和P2，并联的总电阻设为R。下列关于P1和P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在区域描述正确的是
[ ]
A．特性曲线在Ⅰ区，P1<P2
B．特性曲线在Ⅰ区，P1>P2
C．特性曲线在Ⅲ区，P1>P2
D．特性曲线在Ⅲ区，P1<P2
B．特性曲线在Ⅰ区，P1>P2
C．特性曲线在Ⅲ区，P1>P2
D．特性曲线在Ⅲ区，P1<P2
B
练习册系列答案
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集成电路应用广泛、集成度越来越高，现在集成电路的集成度已达几亿个元件，目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进，集成度越高，各种电子元件越微型化，如图一是我国自行研制成功的中央处理器（CPU）芯片“龙芯”1号，如图二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体，但R2的尺寸远远小于R1的尺寸，通过两导体的电流方向如图2，则这两个导体的电阻R1、R2的关系说法正确的是（ ）
| A、R1＞R2 | B、R1＜R2 | C、R1=R2 | D、无法确定 |
如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现在把电阻R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别为P1和P2，并联的总电阻设为R，下列关于P1与P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在的区域正确的是
| A．特性曲线在Ⅰ区，P1＜P2 |
| B．特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2 |
| C．特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2 |
| D．特性曲线在Ⅲ区，P1＜P2 |
