题目内容
图1-2-10是M、N两个物体做直线运动的位移—时间图象，由图可知（ ）
图1-2-10
A.M物体做匀速直线运动 B.N物体做曲线运动
C.t0秒内M、N两物体的位移相等 D.t0秒内M、N两物体的路程相等
解析：由图可知：M物体的位移随时间均匀变化，N物体的位移随时间不均匀变化，所以M物体做匀速直线运动，N物体做变速直线运动，选项A正确、B错误.t0秒内，M、N两物体的位移都是s0，所以t0秒内两物体的位移相等；随着时间的增加，位移一直在变大，说明M、N的运动方向没变，路程和位移的大小相等，所以t0秒内两物体的路程也相等．
答案：ACD
练习册系列答案
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如图所示，在真空中有一平行板电容器，两板间距离为10cm，a点离M板2cm，b点离N板也是2cm，ab两点在平行于极板方向的距离为6cm．当电容器充电后，M板带正电荷，N板带负电荷，现测得一个电荷量为+2×10-8C的点电荷，放在a点时所受的电场力大小为2×10-5N，则：该电容器两板间的电势差大小为
霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=k
，式中k为霍尔系数，由半导体材料的性质决定，d为薄片的厚度．利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B．
（1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向 （填“a”或“b”），S2掷向 （填“c”或“d”）．
（2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线，利用图线求出待测磁场B为 T．
（3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
（A）选用厚度较薄的半导体薄片
（B）选用厚度较厚的半导体薄
（C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
（D）增大电流强度I．
| IB |
| d |
（1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向
（2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
| I（×10-3A） | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH（×10-3V） | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
（3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
（A）选用厚度较薄的半导体薄片
（B）选用厚度较厚的半导体薄
（C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
（D）增大电流强度I．
