题目内容
将导体放在沿x轴方向的匀强磁场中，导体中通有沿y方向的电流时，在导体的上下两侧面间会出现电势差，这个现象称为霍尔效应.利用霍尔效应的原理可以制造磁强计，测量磁场的磁感应强度.磁强计的原理如图B-5所示，电路中有一段金属导体，它的横截面为边长等于a的正方形，放在沿x正方向的匀强磁场中，导体中通有沿y方向、大小为I的电流，已知金属导体单位体积中的自由电子数为n，电子电荷量为e，金属导体导电过程中，自由电子所做的定向移动可以认为是匀速运动，测出导体上下两侧面间的电势差为U.求：（1）导体上、下侧面哪个面电势较高；
（2）磁场的磁感应强度是多少.
（1）上侧电势高
（2）自由电子做定向移动，视为匀速运动，速度设为v，有I=nea2v，电子受电场力和洛伦兹力而平衡，有
=Bev.解得 B=
【试题分析】
练习册系列答案
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（2007?苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。
，并测得U =0.6mV，I=3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。