题目内容
(1)求t=0时刻射入偏转电场的粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离;
(2)求粒子进入磁场时的最大速度;
(3)对于所有进入磁场中的粒子,如果要增大粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离,应该采取哪些措施?试从理论上推理说明.
【答案】分析:(1)由动能定理可以求出粒子离开加速度电厂时的速度,由牛顿第二定律可以求出粒子在磁场中的轨道半径,然后确定粒子进入与离开磁场的距离.
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,应用平抛运动规律与动能定理可以求出粒子的最大速度.
(3)求出粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离表达式,然后找出增大该距离的措施.
解答:解:(1)设经过加速电场加速后,粒子的速度为v,
由动能定理得:
,
解得:v=
=1.0×105m/s,
由于t=0时刻偏转电场的场强为零,此时射入偏转电场的粒子将匀速穿过电场而以v的速度垂直磁场边界进入磁场中,
在磁场中的运动轨迹为半圆.设粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径为r,
由牛顿第二定律得:qvB=m
,解得r=
,
粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离d=2r=0.40m;
(2)设粒子以最大偏转量离开偏转电场,即轨迹经过金属板右侧边缘处,
进入磁场时a、b板的电压为Um,则粒子进入偏转电场后,加速度a=
,
在水平方向 L=vt,在竖直方向 y=
at2,
解得
;
电压Um=25V时对应粒子进入磁场的速度最大,
设最大速度大小为vm,方向与OO′的夹角为q,
则对于粒子通过加速电场和偏转电场的过程,
由动能定理得:qU+q=
mvm ,
解得vm=
×105m/s=1.1×105m/s,
tanθ=
,即θ=arctan
,
(或cosθ=
,即θ=arccos
)
(3)设任意时刻进入磁场的粒子,其进入磁场时速度方向与OO′的夹角为α,
则其速度大小 v=
,
粒子在磁场中做圆周运动的轨迹半径 R=
,
由如图答-3所示的几何关系可知,粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离
x=2Rcosα=
,
所以要增大粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离x,应该减小匀强磁场的磁感应强度B,或增大加速电压U;
答:(1)t=0时刻射入偏转电场的粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离为0.4m.
(2)粒子进入磁场时的最大速度为1.1×105m/s.
(3)增大粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离x,应该减小匀强磁场的磁感应强度B,或增大加速电压U.
点评:应用动能定理、类平抛运动的知识、牛顿定律即可正确解题;本题难度较大,是一道难题.
(2)粒子在偏转电场中做类平抛运动,应用平抛运动规律与动能定理可以求出粒子的最大速度.
(3)求出粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离表达式,然后找出增大该距离的措施.
解答:解:(1)设经过加速电场加速后,粒子的速度为v,
由动能定理得:
解得:v=
由于t=0时刻偏转电场的场强为零,此时射入偏转电场的粒子将匀速穿过电场而以v的速度垂直磁场边界进入磁场中,
在磁场中的运动轨迹为半圆.设粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径为r,
由牛顿第二定律得:qvB=m
粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离d=2r=0.40m;
(2)设粒子以最大偏转量离开偏转电场,即轨迹经过金属板右侧边缘处,
进入磁场时a、b板的电压为Um,则粒子进入偏转电场后,加速度a=
在水平方向 L=vt,在竖直方向 y=
解得
电压Um=25V时对应粒子进入磁场的速度最大,
设最大速度大小为vm,方向与OO′的夹角为q,
则对于粒子通过加速电场和偏转电场的过程,
由动能定理得:qU+q=
解得vm=
tanθ=
(或cosθ=
(3)设任意时刻进入磁场的粒子,其进入磁场时速度方向与OO′的夹角为α,
则其速度大小 v=
粒子在磁场中做圆周运动的轨迹半径 R=
由如图答-3所示的几何关系可知,粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离
x=2Rcosα=
所以要增大粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离x,应该减小匀强磁场的磁感应强度B,或增大加速电压U;
答:(1)t=0时刻射入偏转电场的粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离为0.4m.
(2)粒子进入磁场时的最大速度为1.1×105m/s.
(3)增大粒子在磁场边界上的入射点和出射点间的距离x,应该减小匀强磁场的磁感应强度B,或增大加速电压U.
点评:应用动能定理、类平抛运动的知识、牛顿定律即可正确解题;本题难度较大,是一道难题.
练习册系列答案
相关题目