如图.正离子源产生带电量为q的正离子.经S1.S2两金属板间的电场加速后.进入粒子速度选择器P1.P2之间.P1.P2之间有场强为E的匀强电场和与之正交的磁感应强度为B1的匀强磁场.通过速度选择器的粒子经S3细孔射入磁感应强度为B2的匀强磁场中后沿一半圆轨迹运动.射到照相底片M上.使底片感光.若底片感光处距细孔S3的距离为x．求:(1)离子进入磁� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网——

题目内容

如图，正离子源产生带电量为q的正离子，经S₁、S₂两金属板间的电场加速后，进入粒子速度选择器P₁、P₂之间，P₁、P₂之间有场强为E的匀强电场和与之正交的磁感应强度为B₁的匀强磁场，通过速度选择器的粒子经S₃细孔射入磁感应强度为B₂的匀强磁场中后沿一半圆轨迹运动，射到照相底片M上，使底片感光，若底片感光处距细孔S₃的距离为x．

求：(1)离子进入磁场时的速度大小

(2)射到照相底片M上的离子的质量

答案：
解析：

　　(1)

　　(2)

　　得：

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（2009?重庆）如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U₀的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场．已知HO=d，HS=2d，∠MNQ=90°．（忽略粒子所受重力）
（1）求偏转电场场强E₀的大小以及HM与MN的夹角φ；
（2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
（3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S₁处，质量为16m的离子打在S₂处．求S₁和S₂之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围．

如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U₀的加速电场加速后匀速通过准直管W#W$W%.K**S*&5^U，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

（忽略粒子所受重力和一切阻力）

（1）求偏转电场场强E₀的大小以及HM与MN的夹角；

（2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

（3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。

如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U₀的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

（忽略粒子所受重力和一切阻力）

（1）求偏转电场场强E₀的大小以及HM与MN的夹角；

（2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

（3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。

如图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U₀的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO=d，HS=2d，=90°。

（忽略粒子所受重力和一切阻力）

（1）求偏转电场场强E₀的大小以及HM与MN的夹角；

（2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；

（3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点处，质量为16m的离子打在处。求和之间的距离。