。其中：
（13分）下表为元素周期表的一部分，请参照元素①—⑩在表中的位置，
回答下列问题：
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周期 | IA |
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| 0 |
| 1 | ① | ⅡA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA |
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| 2 |
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| ② | ③ | ④ |
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| 3 | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ |
| ⑨ | ⑩ |
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族（1）⑩的离子结构示意图为 。
（2）④⑤⑥⑨⑩的离子半径由大到小的顺序为______________（用离子符号表示）。
（3）④的氢化物沸点比⑨高，说明理由____________________________。
（4）上述元素构成的两个不同的10电子微粒，能反应生成两个相同的10电子微粒。写出二者反应的方程式为________ ________。
（5）由④⑤两种元素组成的一种化合物加入到硫酸亚铁溶液中，立即产生红褐色沉淀，但无气体产生，该化合物的电子式 ，该反应的离子方程式___ ___。
（16分）
单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450~500 ℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息如下：
a．四氯化硅遇水极易水解；
b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c．有关物质的物理常数见下表：
| 物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
| 熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | — |
| 升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题：
(1)写出装置A中发生反应的离子方程式______________。
(2)装置A中g管的作用是______________；装置C中的试剂是____________;装置E中的h 瓶需要冷却的理由是______________。
(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是______________（填写元素符号）。
(4)为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe2+,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定，反应的离子方程式是：
5Fe2++MnO4-+8H+＝5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示剂？_________（填 “是”或“否”），请说明理由__________。
②某同学称取5.000g残留物后，所处理后在容量中瓶中配制成100 mL溶液，移取25.00 mL试样溶液，用1.000×10-2mol·L-1KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时，消耗标准溶液20.00 mL，则残留物中铁元素的质量分数是________________。